美國LED大廠Cree向美國專利商標(biāo)局(USPTO)申請的20080272386號(hào)專利，已于11月公開，內(nèi)容是使用激光剝削或切削(laserablationorsawing)技術(shù)直接在碳化硅(SiC)基板上刻出凹槽(trenches)，再利用旋轉(zhuǎn)涂布法將半導(dǎo)體納米晶體或熒光粉等熒光材料填入凹槽中，在凹槽間形成一個(gè)凸面橋，這個(gè)方法可以讓白光LED變得更小、更容易制造。     這些熒光填充物能把SiC基板上的GaNLED所發(fā)出的窄頻域藍(lán)光，轉(zhuǎn)換成寬帶譜的白光。專利發(fā)明人PeterAndrews指出，與目前將LED置于杯狀基座(submount)中并以光轉(zhuǎn)換材料封裝的技術(shù)相比，在基板上刻蝕出凹槽是一大進(jìn)展，因?yàn)榍罢邥?huì)限制白光LED的最小尺寸。為了協(xié)助光脫離LED，廠商會(huì)改變基座的形狀并提高其反射率，而Cree的凹槽設(shè)計(jì)也有提高光萃取率的作用。 $a'}7Q_  
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