在LED晶圓(LED外延片)制程方面，不同的襯底材料，需要不同的磊晶（晶圓生長）技術(shù)、芯片加工技術(shù)和封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。襯底材料的選擇主要取決于以下9個(gè)方面，襯底的選擇要同時(shí)滿足全部應(yīng)該有的好特性。所以，目前只能通過外延生長技術(shù)的變更和器件加工制程的調(diào)整來適應(yīng)不同襯底上的半導(dǎo)體發(fā)光器件的研發(fā)和生產(chǎn)。用于氮化鎵研究的襯底材料比較多，但是能用于生產(chǎn)的襯底目前只有二種，即藍(lán)寶石Al2O3和碳化硅SiC襯底。 rQ &S<  
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如果我們來看LED襯底材料，好的材料應(yīng)該有的特性如下： f{f_g8f[
 
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1.結(jié)構(gòu)特性好，晶圓材料與襯底的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配度小、結(jié)晶性能好、缺陷密度小。 E2-ojL[6  
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2.接口特性好，有利于晶圓料成核且黏附性強(qiáng)。 6,a%&1_  
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3.化學(xué)穩(wěn)定性好，在晶圓生長的溫度和氣氛中不容易分解和腐蝕。 Sr-|,\/O  
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4.熱學(xué)性能好，包括導(dǎo)熱性好和熱失配度小。 FBcm;cjH  
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5.導(dǎo)電性好，能制成上下結(jié)構(gòu)。 7<fL[2-  
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6.光學(xué)性能好，制作的器件所發(fā)出的光被襯底吸收小。 k