1.靈敏度和工作光譜區(qū) UD8e,/  
光電倍增管的靈敏度和工作光譜區(qū)主要取決于光電倍增管陰極和打拿極的光電發(fā)射材料。當(dāng)入射到陰極表面的光子能量足以使電子脫離該表面時(shí)才發(fā)生電子的光電發(fā)射，即1/2mv2=hn-ф,( hn為光子能量，ф為電子的表面功函數(shù)，1/2mv2為電子動(dòng)能)。當(dāng)hn<ф時(shí)，不會(huì)有表面光電發(fā)射，而當(dāng)hn=ф時(shí)，才有可能發(fā)生光電發(fā)射，這時(shí)所對(duì)應(yīng)的光的波長(zhǎng)λ=C/n稱為這種材料表面的閾波長(zhǎng)。隨著入射光子波長(zhǎng)的減小，產(chǎn)生光電子發(fā)射的效率將增大，但光電倍增管窗材料對(duì)光的吸收也隨之增大。顯然，光電倍增管的短波響應(yīng)的極限主要取決于窗材料，而長(zhǎng)波響應(yīng)的極限主要取決于陰極和打拿極材料的性能。一般用于可見-紅外光譜區(qū)的光電倍增管用玻璃窗，而用于紫外光譜區(qū)的用石英窗。光陰極一般選用表面功函數(shù)低的堿金屬材料，如紅外譜區(qū)選用銀-氧-銫陰極，可見光譜區(qū)用銻-銫陰極或鉍-銀-氧-銫陰極，而紫外譜區(qū)則采用多堿光電陰極或梯-碲陰極。 ,{\Ae"{6  
光電倍增管的靈敏度S是指在1lm的光通量照射下所輸出的光電流強(qiáng)度，即S=i/F，單位為µA/lm。顯然，靈敏度隨入射光的波長(zhǎng)而變化，這種靈敏度稱為光譜靈敏度，而描述光譜靈敏度隨波長(zhǎng)而變化的曲線稱為光譜響應(yīng)曲線(見右圖)，由此可確定光電倍增管的工作光譜區(qū)和最靈敏波長(zhǎng)。例如我們常用的R427光電倍增管，其曲線偏碼為250S，光譜響應(yīng)范圍為160-320nm，峰值波長(zhǎng)200nm，光陰極材料Cs-Te，窗口材料為熔煉石英，典型電流放大率3.3×106。 o~9sO=-O  
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2.暗電流與線性響應(yīng)范圍 [ #ih o(/  
光電倍增管在全暗條件下工作時(shí)，陽極所收集到的電流稱為暗電流。對(duì)某種波長(zhǎng)的入射光，光電倍增管輸出的光電流為： i= KIi+i0 ，式中，Ii對(duì)應(yīng)于產(chǎn)生光電流i的入射光強(qiáng)度，k為比例系數(shù)，i0為暗電流。由此可見，在一定的范圍內(nèi)，光電流與入射光強(qiáng)度呈線性關(guān)系，即為光電倍增管的線性響應(yīng)范圍。當(dāng)入射光強(qiáng)度過大時(shí)，輸出的光電流隨光強(qiáng)的增大而趨向于飽和（見右圖）。線性響應(yīng)范圍的大小與光陰極的材料有關(guān)。 7NT0]j(w-  
暗電流的來源主要是由于極間的歐姆漏阻、陰極或其他部件的熱電子發(fā)射以及殘余氣體的離子發(fā)射、場(chǎng)致發(fā)射和玻璃閃爍等引起。 H "Io!{aKU  
當(dāng)光電倍增管在很低電壓下工作時(shí)，玻璃芯柱和管座絕緣不良引起的歐姆漏阻是暗電流的主要成分，暗電流隨工作電壓的升高成正比增加；當(dāng)工作電壓較高時(shí)，暗電流主要來源于熱電子發(fā)射，由于光電陰極和倍增極材料的電子溢出功很低，甚至在室溫也可能有熱電子發(fā)射，這種熱電子發(fā)射隨電壓升高暗電流成指數(shù)倍增；當(dāng)工作電壓較高時(shí)，光電倍增管內(nèi)的殘余氣體可被光電離，產(chǎn)生帶正電荷的分子離子，當(dāng)與陰極或打拿極碰撞時(shí)可產(chǎn)生二次電子，引起很大的輸出噪聲脈沖，另外高壓時(shí)在強(qiáng)電場(chǎng)作用下也可產(chǎn)生場(chǎng)致發(fā)射電子引起噪聲，另外當(dāng)電子偏離正常軌跡打到玻殼上會(huì)出現(xiàn)閃爍現(xiàn)象引起暗電流脈沖，這一些暗電流均隨工作電壓升高而急劇增加，使光電倍增管工作不穩(wěn)定，因此為了減少暗電流，對(duì)光電倍增管的最高工作電壓均加以限制。 & kVa*O