《半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理》全面系統(tǒng)地介紹了半導(dǎo)體薄膜的各種制備技術(shù)及其相關(guān)的物理基礎(chǔ)。全書共分十章。第一章概述了真空技術(shù)，第二至第八章分別介紹了蒸發(fā)、濺射、化學(xué)氣相沉積、脈沖激光沉積、分子束外延、液相外延、濕化學(xué)合成等各種半導(dǎo)體薄膜的沉積技術(shù)，第九章介紹了半導(dǎo)體超晶格、量子阱的基本概念和理論，第十章介紹了典型薄膜半導(dǎo)體器件的制備技術(shù)。 >B]'fUt5a  
《半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理》文字?jǐn)⑹錾狭η笞龅缴钊霚\出，內(nèi)容上深度和寬度相結(jié)合，理論和實(shí)踐相結(jié)合，以半導(dǎo)體薄膜技術(shù)為重點(diǎn)，結(jié)合半導(dǎo)體材料和器件的性能介紹，同時(shí)還介紹了半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理領(lǐng)域的新概念、新進(jìn)展、新成果和新技術(shù)�！栋雽�(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理》具有內(nèi)容翔實(shí)、概念清楚、圖文并茂的特點(diǎn)。 PB;eHy  
《半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理》讀者對(duì)象廣泛，可作為高等院校材料、物理、電子、化學(xué)等學(xué)科的研究生或高年級(jí)本科生的半導(dǎo)體薄膜技術(shù)課程的教材，也可作為從事半導(dǎo)體材料、薄膜材料、光電器件等領(lǐng)域的科研人員、工程技術(shù)人員的參考書籍。 fhL,aCS=  
葉志鎮(zhèn)，男，1955年5月生于浙江溫州。1987年獲浙江大學(xué)光儀系工學(xué)博士學(xué)位；畢業(yè)后留校工作，1990～1992年留學(xué)美國(guó)麻省理工學(xué)院（MIT）；1994年晉升為教授；1996年選為博導(dǎo)�，F(xiàn)為浙江大學(xué)材料與化學(xué)工程學(xué)院副院長(zhǎng)、浙江大學(xué)納米中心主任。 1988年進(jìn)入浙江大學(xué)材料系，在硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室一直從事半導(dǎo)體薄膜教學(xué)科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制備、物性調(diào)控及光電應(yīng)用；納米薄層材料高真空CVD技術(shù)研發(fā)及應(yīng)用。現(xiàn)兼任國(guó)家自然科學(xué)基金委信息科學(xué)部評(píng)審組成員，全國(guó)電子材料專委副主任，全國(guó)半導(dǎo)體與集成技術(shù)、半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體物理專委委員等。 /1Ue?)g  
《半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理》共分十章，以葉志鎮(zhèn)教授“半導(dǎo)體薄膜技術(shù)物理”講義為基礎(chǔ)編撰而成。第一章敘述了真空技術(shù)的基本知識(shí)；第二章至第八章是《半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理》的核心內(nèi)容，結(jié)合各種半導(dǎo)體材料，詳細(xì)介紹了蒸發(fā)、濺射、化學(xué)氣相沉積、脈沖激光沉積、分子束外延、液相沉積和濕化學(xué)合成等半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理；第九章介紹了超晶格的相關(guān)知識(shí)，超晶格、量子阱是現(xiàn)代新型半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)和關(guān)鍵；第十章介紹了典型薄膜半導(dǎo)體器件的制備技術(shù)，包括發(fā)光二極管、薄膜晶體管和紫外探測(cè)器。 M5gWD==uP  

圖片:baomwuli.jpg

|$?bc3  
`tP7ncky  
市場(chǎng)價(jià)：￥36.00 X}+>!%W!}  
優(yōu)惠價(jià)：￥24.80 為您節(jié)�。�11.20元 (69折) /c uLc^(X  
:oJ=iB'Zc  
lOtDqb&  
第1章 真空技術(shù) *G* k6.9W!  
1.1 真空的基本概念 D$t k<{)oB  
1.1.1 真空的定義 +
$g}4  
1.1.2 真空度單位 phM>.y_  
1.1.3 真空區(qū)域劃分 ep)>X@t  
1.2 真空的獲得 ,l<6GB2\  
1.3 真空度測(cè)量 ~\