發(fā)光二極管(Light Emitting Diode;以下簡稱為LED)具有壽命長、反應(yīng)速度快、耗電量低、輕巧小型等優(yōu)點(diǎn),隨著LED輝度逐年提高,LED已經(jīng)不再是各種科技產(chǎn)品的照明、顯示附屬組件,它的應(yīng)用已擴(kuò)展至交通號(hào)志器、道路標(biāo)識(shí)、車用煞車燈等領(lǐng)域,未來甚至有可能取代傳統(tǒng)的熒光燈、白熾燈,成為新世代主要照明光源,因此提高LED的輝度成為當(dāng)務(wù)之急。 F7\BF
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提高LED輝度的方法大致上可分為兩種,分別是增加芯片(chip)本身的發(fā)光量;另一種方法是有效利用芯片產(chǎn)生的光線,增加光線照射至預(yù)期方向的照射量。前者是設(shè)法提高芯片活性層的發(fā)光效率,以及改善芯片形狀增加外部取光效率,或是將芯片大型化利用高密度電流增加發(fā)光量;后者是利用光波控制技術(shù),亦即利用封裝樹脂形成特殊的光學(xué)結(jié)構(gòu),使芯片產(chǎn)生的光線照射至預(yù)期的方向。日本OMRON根據(jù)上述構(gòu)想,利用雙反射器(Double Reflection;下簡稱為DR-LED)使LED輝度增加二倍以上。 BY3bpR
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