發(fā)光二極管(Light Emitting Diode；以下簡(jiǎn)稱為LED)具有壽命長(zhǎng)、反應(yīng)速度快、耗電量低、輕巧小型等優(yōu)點(diǎn)，隨著LED輝度逐年提高，LED已經(jīng)不再是各種科技產(chǎn)品的照明、顯示附屬組件，它的應(yīng)用已擴(kuò)展至交通號(hào)志器、道路標(biāo)識(shí)、車(chē)用煞車(chē)燈等領(lǐng)域，未來(lái)甚至有可能取代傳統(tǒng)的熒光燈、白熾燈，成為新世代主要照明光源，因此提高LED的輝度成為當(dāng)務(wù)之急。 ON~K(O2g(  
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提高LED輝度的方法大致上可分為兩種，分別是增加芯片(chip)本身的發(fā)光量；另一種方法是有效利用芯片產(chǎn)生的光線，增加光線照射至預(yù)期方向的照射量。前者是設(shè)法提高芯片活性層的發(fā)光效率，以及改善芯片形狀增加外部取光效率，或是將芯片大型化利用高密度電流增加發(fā)光量；后者是利用光波控制技術(shù)，亦即利用封裝樹(shù)脂形成特殊的光學(xué)結(jié)構(gòu)，使芯片產(chǎn)生的光線照射至預(yù)期的方向。日本OMRON根據(jù)上述構(gòu)想，利用雙反射器(Double Reflection；下簡(jiǎn)稱為DR-LED)使LED輝度增加二倍以上。 95%,