越來越多的高精度材料加工應(yīng)用需要使用短脈沖激光器。這些應(yīng)用包括印刷電路板和柔性電路板上的微盲孔鉆孔、半導(dǎo)體存儲器修復(fù)、太陽能電池邊緣隔離和薄膜圖形化，以及LED制造中的藍(lán)寶石基板劃線。[1]所有這些應(yīng)用的典型特征都是小型化日益加劇，和/或在降低制造成本方面面臨持續(xù)不斷的壓力。 GLp2 ?fon  
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小型化和縮減特征尺寸是采用短脈沖激光的主要原因。為了減小工件上的熱影響區(qū)和隨之而來的對附近元件的潛在損害，通常需要小于80ns的脈寬。微米級特征也偏向于更短的波長，因?yàn)槎滩ㄩL可以實(shí)現(xiàn)更小的聚焦光斑尺寸。材料的吸收特征也是確定激光波長時需要考慮的一個關(guān)鍵因素。 r/$+'~apTk  
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此外，隨著特征尺寸的縮小，在單個設(shè)備中或單位面積內(nèi)會出現(xiàn)更多的特征，因此必須增加激光脈沖重復(fù)率，否則設(shè)備的制造周期將會延長。由于特征是制造于基底之上的，當(dāng)基底的尺寸同時增長時，上述要求就變得更加迫切。例如，在過去10年中，半導(dǎo)體內(nèi)存芯片的最小特征尺寸從150μm下降到了60μm。與此同時，硅晶圓的尺寸從200mm增加到了300mm。因此，可以印刷在單個晶圓上的特征數(shù)量已經(jīng)躍升了14倍。在這個例子中，特征尺寸的減小也推動了加工過程采用紫外波長以形成更小的光斑尺寸。這些進(jìn)展推動激光器開發(fā)人員將基頻波長為1.0μm左右的平均輸出功率提高了10倍，并且將應(yīng)用波長移至355nm。在其他微電子應(yīng)用中，這種趨勢同樣十分明顯。表面積的增加和加工時間的減少，推動了太陽能電池加工技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。 GvF8S MO[x  
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目前，大多數(shù)納秒脈沖應(yīng)用都是通過二極管泵浦固體（DPSS）激光器來實(shí)現(xiàn)的。DPSS激光器的性能反映了超過20年的不斷創(chuàng)新，這是其他激光技術(shù)很難匹敵的。然而，有跡象顯示，一些應(yīng)用需求的發(fā)展可能會超過DPSS激光器的實(shí)際能力。更小的光斑尺寸要求和材料問題正將脈寬推入皮秒?yún)^(qū)域，但即使脈沖重復(fù)頻率增加，也必須保持所需的單個脈沖能量。創(chuàng)造性的解決方案正在出現(xiàn)，如“雙光束”技術(shù)，這一技術(shù)通過復(fù)用兩個脈沖光源輸出的激光來達(dá)到兩倍的脈沖重復(fù)率。另一種“混合”方法是利用一個低功率、高脈沖重復(fù)率的光纖激光器，通過分離脈沖生成與功率放大這兩項(xiàng)功能來為DPSS放大器提供光源。雖然使用了這些解決方案，但的確增加了成本和復(fù)雜性，在其向更高的輸出發(fā)展時將有所受限。 1XSA3;ZEc  
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光纖激光器 IEfzu L<v  
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在所有的解決方案中，光纖激光器是理想的能夠滿足當(dāng)前和發(fā)展中的短脈沖應(yīng)用要求的下一代光源。表1中列出了主要目標(biāo)規(guī)格。光纖激光器具有高單程增益，簡化了放大器的設(shè)計(jì)，并可直接提高平均功率，這使其對于短脈沖應(yīng)用來說很有吸引力。在這些應(yīng)用中，需要高峰值功率運(yùn)行以達(dá)到所需的脈沖能量和脈寬，而要實(shí)現(xiàn)高峰值功率運(yùn)行需要增大光纖芯徑尺寸，這是其難點(diǎn)所在。如果不增大芯徑尺寸，非線性光學(xué)效應(yīng)將會引起光譜展寬和輸出功率的不穩(wěn)定。目前采用20μm芯徑的雙包層光纖（DCF）的商用光纖激光器，可在10ns脈沖內(nèi)提供最高25kW的峰值功率，在100kHz的工作頻率下產(chǎn)生25W的平均功率。這只是表1中目標(biāo)平均功率的四分之一，也是目前DPSS激光器所能達(dá)到的平均功率的一半。在一個有望進(jìn)一步提高功率的解決方案中，包括一種名為手征性耦合芯徑或3C光纖的獨(dú)特結(jié)構(gòu)的光纖。 5Q#;4  
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這種3C光纖的芯徑比傳統(tǒng)的雙包層、大模場面積光纖大得多，并且能夠?qū)崿F(xiàn)單模輸出。手征性耦合芯徑光纖由中心的導(dǎo)引纖芯和至少一根螺旋型圍繞在中心纖芯周圍的衛(wèi)星纖芯組成（見圖1）。這種結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可以有選擇的將中心纖芯中的高階光學(xué)模耦合到衛(wèi)星纖芯（Satellite Core）中，同時只有LP01模在中心纖芯中傳輸。合適的衛(wèi)星纖芯參數(shù)和螺旋周期導(dǎo)致被耦合進(jìn)入衛(wèi)星纖芯的光模式被散射到包層中，因而損耗很高。這種概念可以應(yīng)用到非常大芯徑的光纖的設(shè)計(jì)中（見圖2）。 OL4I}^*,  
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3C光纖可直接制備，制備過程與標(biāo)準(zhǔn)的DCF有兩個基本區(qū)別。標(biāo)準(zhǔn)DCF是由玻璃預(yù)制棒拉制出來的，具有適當(dāng)摻雜的中心纖芯。預(yù)制棒和纖芯的尺寸預(yù)先按比例搭配好，這樣在光纖拉絲塔上加熱和拉制時就會縮小到所需要的光纖尺寸。3C光纖的預(yù)制棒包括兩根摻雜纖芯。一根纖芯在預(yù)制棒的中心軸上，另一根衛(wèi)星纖芯略微偏離中心軸。接下來，當(dāng)光纖拉伸時同時旋轉(zhuǎn)。這種旋轉(zhuǎn)使得偏離中心軸的衛(wèi)星纖芯螺旋型圍繞在中心纖芯周圍，產(chǎn)生了所需的螺旋。 ZR.1SA0x?O  
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3C光纖的一個重要屬性是其性能不依賴于特定的彎曲度，這與標(biāo)準(zhǔn)大模場面積光纖正好相反。大模場面積光纖通過仔細(xì)卷繞，從而利用彎曲引起的基模和高階模之間的損耗不同來獲得單模性能，這種方法對芯徑小于25μm的光纖有效。芯徑尺寸越大，這種方法越?jīng)]有效果。[3]這種技術(shù)對于光束傳輸和光纖元件中的使用來說也是有問題的。由于模式辨別并不依賴于光纖的彎曲度，因此3C光纖可以以筆直或彎曲的形態(tài)應(yīng)用于有源或無源光纖結(jié)構(gòu)中。 jL(=<R(~y  
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芯徑為35μm、摻鐿和未摻鐿（Yb3+）芯層的兩種手征性耦合芯徑光纖，可作為增益光纖并應(yīng)用于無源光纖元件結(jié)構(gòu)中。針對光纖在MOPA（主控振蕩器功率放大器）結(jié)構(gòu)內(nèi)性能的實(shí)驗(yàn)室測試結(jié)果表明，其產(chǎn)生的平均功率超過100W，脈寬為10ns，在100kHz脈沖重復(fù)頻率下的峰值功率達(dá)到了100kW。 kT&-:: ^R  
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