電磁兼容的問題常發(fā)生于高頻狀態(tài)下，個別問題(電壓跌落與瞬時中斷等)除外。高頻思維，總而言之，就是器件的特性、電路的特性，在高頻情況下和常規(guī)中低頻狀態(tài)下是不一樣的，如果仍然按照普通的控制思維來判斷分析，則會走入設(shè)計(jì)的誤區(qū)。比如： U Z_'><++  
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電容，在中低頻或直流情況下，就是一個儲能組件，只表現(xiàn)為一個電容的特性，但在高頻情況下，它就不僅僅是個電容了，它有一個理想電容的特性，有漏電流(在高頻等效電路上表現(xiàn)為R)，有引線電感，還在導(dǎo)致電壓脈沖波動情況下發(fā)熱的ESR(等效串聯(lián)電阻)，(如圖)。從這個圖上分析，能幫我們設(shè)計(jì)師得出很多有益的設(shè)計(jì)思路。第一，按照常規(guī)思路，1/2πfc是電容的容抗，應(yīng)該是頻率越高，容抗越小，濾波效果越好，即越高頻的雜波越容易被泄放掉，但事實(shí)并非如此，因?yàn)橐�線電感的存在，一支電容僅僅在其1/2πfc=2πf L等式成立的時候，才是整體阻抗最小的時候，濾波效果才最好，頻率高了低了都會濾波效果下降，由此就可以分析出結(jié)論，為什么在IC的VCC端都會加兩支電容，一支電解的，一支瓷片的，并且容值一般相差100倍以上多一點(diǎn)。就是兩支不同的電容的諧振頻率點(diǎn)岔開了一段距離，既利于對稍高頻的濾波，也利于對較低頻的濾波。 .N