一、前言
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Z6 `]$?u Q 當(dāng)前，高速發(fā)展的信息工業(yè)對(duì)集成電路
器件集成度的要求越來(lái)越高，這促使了人們不斷探索能夠突破器件尺寸極限的途徑。隨著對(duì)亞微米、深亞微米和微電子機(jī)械系統(tǒng) (MEMS)的深入研究，
納米電子學(xué)和納米
光電子學(xué)應(yīng)運(yùn)而生，納米量子器件也隨之產(chǎn)生。納米量子器件可簡(jiǎn)單地分為納米電子器件和納米光電子器件。納米電子 器件包括共振隧穿器件(RTD)、量子點(diǎn)(QD)器件和單電子器件(單電子晶體管和單電子存儲(chǔ)器)等；納米光電子器件則主要包括基于應(yīng)變自組裝的納米
激光器(如量子點(diǎn)、量子線、量子阱
激光器)、量子點(diǎn)紅外光電探側(cè)器、納米級(jí)硅化鉑薄膜肖特基勢(shì)壘紅外光電探測(cè)器等。
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