常見的芯片如下： |'k7 ;UW  
材料 波長 材料 波長 Cj)*JZVG  
InGaN 475-485nm InGaN 525nm 9Kc;]2
m  
InGaN 465-475nm InGaN 505nm Xj6?,J  
InGaN 455-465nm InGaN 515nm X5)].[d  
InGaAlP 620-640nm GaAlAs/GaAs 660nm t; #D,gx  
InGaAlP 610-620nm GaAlAs/GaAlAs 660nm
G{'`L)~3N  
InGaAlP 600-610nm GaP 700nm k+u L^teyS  
InGaAlP 592-600nm GaP 570-575nm L# .vbf  
InGaAlP 580-593nm GaP 565-570nm U7xQ 5lph  
InGaAlP 567-577nm GaP 550-565nm dEoW8 M#  
InGaAlP 550-565nm PY---GaAlAs 585nm >s%m\"|oh  
OYIH**?  
一、 半導(dǎo)體發(fā)光二極管工作原理、特性及應(yīng)用 O=}jg0k  
??（一）LED發(fā)光原理 'oM&Ar$  
??發(fā)光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導(dǎo)體制成的，其核心是PN結(jié)。因此它具有一般P-N結(jié)的I-N特性，即正向?qū)�通，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下，電子由N區(qū)注入P區(qū)，空穴由P區(qū)注入N區(qū)。進(jìn)入對方區(qū)域的少數(shù)載流子（少子）一部分與多數(shù)載流子（多子）復(fù)合而發(fā)光，如圖1所示。 ^,fMs:  
 4V 5  
;0 9~#Wop  
??假設(shè)發(fā)光是在P區(qū)中發(fā)生的，那么注入的電子與價帶空穴直接復(fù)合而發(fā)光，或者先被發(fā)光中心捕獲后，再與空穴復(fù)合發(fā)光。除了這種發(fā)光復(fù)合外，還有些電子被非發(fā)光中心（這個中心介于導(dǎo)帶、介帶中間附近）捕獲，而后再與空穴復(fù)合，每次釋放的能量不大，不能形成可見光。發(fā)光的復(fù)合量相對于非發(fā)光復(fù)合量的比例越大，光量子效率越高。由于復(fù)合是在少子擴(kuò)散區(qū)內(nèi)發(fā)光的，所以光僅在*近PN結(jié)面數(shù)μm以內(nèi)產(chǎn)生。 *edhJUT  
??理論和實踐證明，光的峰值波長λ與發(fā)光區(qū)域的半導(dǎo)體材料禁帶寬度Ｅg有關(guān)，即 uWr