一般而言，氧化鈦充氧太低的話會(huì)由于鍍膜過程中失氧，導(dǎo)致產(chǎn)生吸收。充氧過高的話，折射率會(huì)降低。二氧化硅失氧很少，一般充氧壓力要低些。 Qg]+&8!*  
像TIO2，典型的充氧壓為1.2-1.6*10-4TORR, 二氧化硅典型的充氧壓為7-9*10-5TORR

引用樓主007771021于2006-04-27 10:59發(fā)表的 請教一下二氧化硅，二氧化鈦的折射率與充氧的關(guān)系 : lK_T%1Gz  
  本人在使用這兩種膜料的時(shí)候，感覺不是十分的穩(wěn)定，不知道該如何控制充氧量。還有就是，充氧量和他們的折射率的關(guān)系是怎樣的。特來請教一下各位高人。謝謝

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如果充氧量大，Si被充分氧化，則薄膜折射率與化學(xué)計(jì)量比的塊體二氧化硅的應(yīng)該接近，若充氧量小，Si氧化不夠，則薄膜中會(huì)有單質(zhì)Si存在，則折射率會(huì)高一些。另外空隙率的多少也會(huì)影響到折射率。充氧量的大小會(huì)影響到沉積速率，從而影響孔隙率。

TIO2的充O2量一般為1.2*10-4Torr

對于TiO2來說，導(dǎo)氧多屈折率高，導(dǎo)氧少屈折率低。如果作IRcut的話，導(dǎo)氧多屈折率高，帶寬比較寬。通常情況下，TiO2的導(dǎo)氧量差不多1.0E-2——2.0E-2Pa之間，但是最基本的原則是沒有吸收。Sio2是不用導(dǎo)氧的，屈折率基本沒有變化。

通常情況下，TiO2的導(dǎo)氧量差不多2.0E-2——2.8E-2Pa之間，但是最基本的原則是沒有吸收。Sio2是不用導(dǎo)氧的，屈折率基本沒有變化。

好問題值得關(guān)注

SiO2一般不充,Tiox充15~35sccm之間,跟index相關(guān).

我有臺(tái)機(jī)器，內(nèi)腔比較大，充40SCCM，真空度還在10-5torr量級(jí)，看IAD的參數(shù)真空度在10-4torr.那得充多少流量才能到10-4量級(jí)？

充多了，偏薄，充少了，偏后

我們的設(shè)備好像做增透膜的時(shí)候，使用二氧化硅，不需要充氧呀 ];5Auh0o