1.高平均功率密度激光棒(晶體棒) 7.hBc;%2u
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目前用于工業(yè)加工的激光器主要是CO2激光器和Nd:YAG激光器,由于采用了高功率的半導(dǎo)體激光器作為泵浦源,在結(jié)構(gòu)上采用多棒串接組合系統(tǒng),以及發(fā)展了板條激光器和筒形激光器等新結(jié)構(gòu)系統(tǒng),使得Nd:YAG激光器輸出達(dá)到千瓦級(jí)高平均功率密度。 `!vqT 3p,
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在石榴石基質(zhì)上已發(fā)展了優(yōu)質(zhì)大尺寸的釔鎵石榴石 Nd:Gd3Ga5O12(Nd:GGG),它比YAG易于生長(zhǎng)并較適于激光二極管泵浦。 pPBXUu'
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2.可調(diào)諧激光棒(晶體棒) %6320 x
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可調(diào)諧激光晶體借助過(guò)渡金屬離子d-d 躍遷易受晶格場(chǎng)影響的特點(diǎn)而使其激光波長(zhǎng)在一定范圍內(nèi)可以調(diào)諧。 Gk*u^J(
KVa{;zBwl
Cr3+:LiCaAlF6 和 Cr3+:LiSrAlF6是目前最好的摻 Cr3+ 的可調(diào)諧激光晶體,調(diào)諧范圍為0.78~1.01um 。這兩種晶體前者力學(xué)性能好,后者激光性能好。Cr3+ :MgSiO4是熒光寬度最寬(680~1400 um)的可調(diào)諧晶體。 n?fy@R
YCD|lL#
摻過(guò)渡金屬離子的可調(diào)諧激光器 (N9-YP?qm
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Ti3+:Al2O3、BeAl2O4 ; + +}!Gfc?s
gB'ajX=OA/
Cr3+:Cr3+: BeAl2O4、Be3Al2Si6O18、KZnF3、ZnWO4、 Y3Ga5O12、 Gd3Ga5O12、 Gd3Sc2Al2O12、Y2Sc2Ga3O12、Gd3Sc2Ga3O12、La3Lu2Ga3O12 。 -`PziGl@<
CO2+:MgF2、KMgF3、KZnF3、ZnF3 ; d/7R}n^
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Ni2+:MgO、CaY2Mg2GeO12、KMgF3、MgF2、MnF2。 z< L2W",
U3{<+vSR`
3.新波長(zhǎng)激光棒(晶體棒) yjjq&Cn
_ p\L,No
波長(zhǎng)在2~3 um 的中紅外晶體,如Er1.5Y1.5Al5O12 (2.94um),由于此波長(zhǎng)對(duì)水的吸收系數(shù)為1(對(duì)比1.06 um只有10-4),因此3um 激光器在醫(yī)學(xué)上有廣泛應(yīng)用。 $H@SXx
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4.半導(dǎo)體激光器和小型激光器用激光晶體 uvbVb"\"Yk
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半導(dǎo)體超晶格,量子阱材料在光電子技術(shù)中的一個(gè)重要應(yīng)用就是制作半導(dǎo)體量子阱激光器(QWLD)。QWLD因具有效率高(60%),體積小,可靠和優(yōu)廉等優(yōu)點(diǎn)而獲得廣泛應(yīng)用。20世紀(jì)80年代以來(lái)發(fā)展很快,商用QLWD已覆蓋630~2000 nm波段。 0V1GX~2
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半導(dǎo)體激光晶體:AlGaAs、InGaAiP、InGaAs、InGaAs、InGaAsP、InGaAsP。 1,wcf,
V'&;r'#O
5.混合無(wú)序結(jié)構(gòu)氟化物激光棒(晶體棒) Ab@G^SLX
4/b.;$
5NaF˙9YF3、CaF2-SrF2、CaF2-YF3、Ca2Y3F13、CaF2-LaF3、CaF2-CeO2、CaF2-CeO2、CaF2-GdF3、CaF2-ErF3、SrF2-YF3、Sr2Y5F15、SrF2-LaF3、SrF2-GdF3、SrF2-Luf3 。