超紫外線(Extreme Ultraviolet，EUV)光刻技術(shù)被認為是未來取代深紫外線(Deep Ultraviolet，DUV)且滿足摩爾定律的22納米及以下世代最可行的候選技術(shù)。由于
激光發(fā)的等離子體(Laser Produced Plasma，LPP)技術(shù)較易達到高功率超紫外線
光源之需求，且具有較高的超紫外線發(fā)射效率和收集效率，是量產(chǎn)用超紫外線光源
系統(tǒng)的最佳選擇。超紫外線光源系統(tǒng)未來技術(shù)研發(fā)藍圖提供了一份符合大規(guī)模生產(chǎn)的超紫外線光源系統(tǒng)的詳細進程表和針對22納米及以下一代制程的技術(shù)要求。
j SHk {T!J Benjamin Szu-Min Lin, Cymer Southeast Asia Ltd.; David Brandt, Nigel Farrar, Cymer Inc.
{Je[ZQ$ 超紫外線光刻技術(shù)是被列在國際
半導(dǎo)體技術(shù)藍圖(International Techonology Roadmap for Semiconductor，ITRS)中作為193納米浸潤式光刻技術(shù)之后可以在2013年滿足出32納米及以下世代最有前景的技術(shù)。然而，針對某些儲存組件量產(chǎn)時程，如NAND型閃存，
本部分內(nèi)容設(shè)定了隱藏，需要回復(fù)后才能看到
