LED是利用化合物材料制成pn結(jié)的光電器件。它具備pn結(jié)結(jié)型器件的電學(xué)特性：I-V特性、C-V特性和光學(xué)特性：光譜響應(yīng)特性、發(fā)光光強(qiáng)指向特性、時間特性以及熱學(xué)特性。 p?F%a;V3  
  1、LED電學(xué)特性 9jW/"  
  1.1 I-V特性 表征LED芯片pn結(jié)制備性能主要參數(shù)。LED的I-V特性具有非線性、整流性質(zhì)：單向?qū)щ娦�，即外加正偏壓表現(xiàn)低接觸電阻，反之為高接觸電阻。 uU_lC5A|  
  如左圖： 6/
e+=W2  
  (1) 正向死區(qū)：（圖oa或oa′段）a點(diǎn)對于V0 為開啟電壓，當(dāng)V＜Va，外加電場尚克服不少因載流子擴(kuò)散而形成勢壘電場，此時R很大；開啟電壓對于不同LED其值不同，GaAs為1V，紅色GaAsP為1.2V，GaP為1.8V，GaN為2.5V。 ;U$Fz~rJ  
  （2）正向工作區(qū)：電流IF與外加電壓呈指數(shù)關(guān)系 3"afrA  
  IF = IS (e qVF/KT –1) -------------------------IS 為反向飽和電流 。 U0>Uqk",  
  V＞0時，V＞VF的正向工作區(qū)IF 隨VF指數(shù)上升 IF = IS e qVF/KT Ot,eAiaX  
  （3）反向死區(qū) ：V＜0時pn結(jié)加反偏壓 sg0HYb%_E  
  V= - VR 時，反向漏電流IR（V= -5V）時，GaP為0V，GaN為10uA。 (#,0\ea{x  
  （4）反向擊穿區(qū) V＜- VR ，VR 稱為反向擊穿電壓；VR 電壓對應(yīng)IR為反向漏電流。當(dāng)反向偏壓一直增加使V＜- VR時，則出現(xiàn)IR突然增加而出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象。由于所用化合物材料種類不同，各種LED的反向擊穿電壓VR也不同。 6WUP
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  1.2 C-V特性 h2~b%|Pv  
  鑒于LED的芯片有9×9mil (250×250um)，10×10mil，11×11mil (280×280um)，12×12mil (300×300um)，故pn結(jié)面積大小不一，使其結(jié)電容（零偏壓）C≈n+pf左右。 =, kH(rp2  
  C-V特性呈二次函數(shù)關(guān)系（如圖2）。由1MHZ交流信號用C-V特性測試儀測得。 QE8;Jk-  
  1.3 最大允許功耗PF m *O6q=yg;K:  
  當(dāng)流過LED的電流為IF、管壓降為UF則功率消耗為P=UF×IF N;N,5rxV  
  LED工作時，外加偏壓、偏流一定促使載流子復(fù)合發(fā)出光，還有一部分變?yōu)闊�，使結(jié)溫升高。若結(jié)溫為Tj、外部環(huán)境溫度為Ta，則當(dāng)Tj＞Ta時，內(nèi)部熱量借助管座向外傳熱，散逸熱量（功率），可表示為P = KT（Tj – Ta）。 93I.Wp_{  
  1.4 響應(yīng)時間 K`%{(^}.  
  響應(yīng)時間表征某一顯示器跟蹤外部信息變化的快慢。現(xiàn)有幾種顯示LCD（液晶顯示）約10-3~10-5S，CRT、PDP、LED都達(dá)到10-6~10-7S（us級）。 (.[HE ~ s?  
  ① 響應(yīng)時間從使用角度來看，就是LED點(diǎn)亮與熄滅所延遲的時間，即圖中tr 、tf 。圖中t0值很小，可忽略。 ]1YyP