LED是利用化合物材料制成pn結(jié)的光電器件。它具備pn結(jié)結(jié)型器件的電學(xué)特性：I-V特性、C-V特性和光學(xué)特性：光譜響應(yīng)特性、發(fā)光光強指向特性、時間特性以及熱學(xué)特性。 jOV,q%)^,:  
  1、LED電學(xué)特性 z$C}V/Ey  
  1.1 I-V特性 表征LED芯片pn結(jié)制備性能主要參數(shù)。LED的I-V特性具有非線性、整流性質(zhì)：單向?qū)щ娦�，即外加正偏壓表現(xiàn)低接觸電阻，反之為高接觸電阻。 Z7)la |  
  如左圖： -*HR0:H  
  (1) 正向死區(qū)：（圖oa或oa′段）a點對于V0 為開啟電壓，當V＜Va，外加電場尚克服不少因載流子擴散而形成勢壘電場，此時R很大；開啟電壓對于不同LED其值不同，GaAs為1V，紅色GaAsP為1.2V，GaP為1.8V，GaN為2.5V。 N;gI %6  
  （2）正向工作區(qū)：電流IF與外加電壓呈指數(shù)關(guān)系 t*KgCk