大功率Ga InP/AlGa InP半導(dǎo)體激光器摘要：制備了大功率實(shí)折射率 Ga InP/ AlGaInP壓應(yīng)變分別限制量子阱激光器.所用外延材料在 15° 偏角的 GaAs 襯底上由有機(jī)金屬氣相外延一次外延生長(zhǎng)得到. 制備的激光器具有雙溝脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu) ,條寬和腔長(zhǎng)分別為 3 和900 μm ,前后端面分別蒸鍍 5 %的增透膜和 95 %的高反膜.分析了室溫連續(xù)激射時(shí)激光器的光電輸出性能.閾值電流的典型值為 32mA ,光學(xué)災(zāi)變閾值為 88mW ,功率為 80mW 時(shí)的工作電流為 110mA ,斜率效率為 1W/ A ,串聯(lián)電阻為 3Ω.基橫模光輸出功率可達(dá) 60mW ,60mW時(shí)的平行結(jié)和垂直結(jié)的遠(yuǎn)場(chǎng)發(fā)散角分別為 10° 和 32° ,激射波長(zhǎng)為65814nm.器件的內(nèi)損耗為 411cm- 1,內(nèi)量子效率達(dá) 80 % ,透明電流密度為 648A/ cm2. )t$<FP
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關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體激光器; AlGa InP可見光激光器; 應(yīng)變量子阱
