負(fù)偏壓對(duì)磁控濺射Ti膜沉積速率和表面形貌的影響摘要 ：采用直流磁控濺射加負(fù)偏壓的方法制備了 Ti 膜 ,研究了不同偏壓條件對(duì) Ti膜沉積速率、 密度、生長(zhǎng)方式及表面形貌的影響。隨著偏壓逐漸增大 ,Ti 膜沉積速率分三個(gè)階段變化:0～ - 40 V 之間沉積速率基本不變; - 40～ - 80 V 之間沉積速率迅速降低;超過(guò) - 80 V 后沉積速率隨偏壓的下降速度又放緩。Ti 膜密度 >Kgw2,y+
隨偏壓增加而增大 ,負(fù)偏壓為 - 119. 1 V 時(shí)開(kāi)始飽和并趨于塊體 Ti 材密度。加負(fù)偏壓能夠抑制 Ti 膜的柱狀生長(zhǎng)方式;偏壓可以改善 Ti 膜的表面形貌 ,對(duì)于 40 W和 100 W的濺射功率 ,負(fù)偏壓分別在 - 100 V 和 - 80 V左右時(shí)制備出表面光潔性能較佳的 Ti膜。 wt($trJ
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關(guān)鍵詞：Ti薄膜； 磁控濺射；負(fù)偏壓；沉積速率；表面形貌
