矩形平面磁控濺射裝置薄膜沉積仿真摘要：薄膜厚度沿矩形靶長度方向分布的均勻度是衡量矩形平面磁控濺射裝置鍍膜質(zhì)量的重要指標(biāo)。為了分析氣壓和靶基板間距對該指標(biāo)的影響 ,本文采用Monte Carlo方法 ,在假設(shè)靶材沿跑道均勻刻蝕的前提下 ,對靶材原子沉積過程進行了計算機仿真。模型假設(shè)靶材原子出射能量滿足 Thompson分布 ,出射角度以余弦定律處理;假設(shè)背景氣體速度為麥克斯韋分布 ,并采用舍選法對各個速度分量進行了抽樣;應(yīng)用可變硬球模型對碰撞過程進行了處理。通過仿真發(fā)現(xiàn) ,隨著氣壓增大 ,盡管薄膜的均勻度越好 ,但是靶材原子到達基板的能量會降低;而靶與基板間距越大 ,薄膜的均勻度和靶材原子到達基板的能量都會降低。另外 ,通過對矩形靶端部磁場改進 ,可以削弱靶材的反�？涛g現(xiàn)象 ,在提高靶材利用率的同時 ,可以有效提高薄膜均勻度。 kda*rl~c
z\,
lPwB2
關(guān)鍵詞：磁控濺射；刻蝕；沉積；仿真
