碳化硅顆粒表面
磁控濺射鍍銅膜的研究摘要：采用直流磁控濺射方法 ,在 SiC顆粒表面成功地沉積了
金屬銅膜。利用場發(fā)射掃描
電子顯微鏡( FESEM) 、 能譜儀( EDS)和電感耦合等離子體發(fā)射
光譜儀( ICP2AES)等測試
儀器對其表面形貌和組份進(jìn)行了表征。重點討論了不同的沉積條件對
薄膜結(jié)晶的影響 ,并用 X射線
衍射儀(XRD)對其進(jìn)行了表征。結(jié)果表明 ,濺射
鍍膜時 ,通過控制 SiC顆粒的運(yùn)動方式 ,可以在其表面鍍上均勻、 連續(xù)和致密的金屬膜。濺射時間越長或濺射
功率越大或溫度越高 ,都有利于薄膜結(jié)晶。
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