直流磁控濺射制備a-Si:H膜工藝及其在激光器腔面膜上的應(yīng)用摘要：利用直流(DC)磁控濺射方法制備氫化非晶硅(a2Si∶ H)薄膜。研究了氫氣流量、 濺射源功率對膜的沉積速率、 氫含量 ( CH ) 以及光學(xué)性能的影響。通過傅里葉變換紅外( FTIR)吸收光譜計算氫含量 ,其最大原子數(shù)分?jǐn)?shù)為11 %。用橢偏儀測量了膜的折射率 n和消光系數(shù)k , 發(fā)現(xiàn) a2Si∶ H 薄膜的 k值和 n值都隨 CH 的增加而減小。 將優(yōu)化的實驗結(jié)果用于半導(dǎo)體激光器腔面高反鏡的鍍制 ,a2Si∶ H 薄膜在808 nm波長處的 n和 k 分別為3. 2和 8 ×10 - 3,獲得了良好的激光輸出特性。 <driD'=F
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關(guān)鍵詞：薄膜；氫化非晶硅；半導(dǎo)體激光器；橢偏儀；折射率；消光系數(shù)
