中頻磁控濺射制備GaN薄膜摘要：采用中頻磁控濺射技術(shù)，以金屬 Ga 為靶材料，在 Si(111)襯底上形成了 GaN 薄膜，研究了濺射壓強(qiáng)、襯底溫度等對GaN薄膜結(jié)構(gòu)和成分的影響。發(fā)現(xiàn)沉積氣壓為0.4~1.0 Pa 時(shí)，薄膜呈GaN(002)取向，氣壓大于1.0 Pa 和小于0.4 Pa 時(shí)，用 X 射線衍射方法難以觀察到GaN(002)的衍射峰。X射線能譜分析表明在最佳實(shí)驗(yàn) *&5./WEOH  
條件下制備的GaN薄膜的元素比Ga:N為1:1。 _ t.E_K  
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關(guān)鍵詞：中頻磁控濺射；GaN；X射線衍射；沉積速率