日本北陸尖端科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)近日宣布，其研究小組開發(fā)出能制作大面積硅薄膜“silicene”的技術(shù)。這種只有一個(gè)原子厚的薄膜，可具備半導(dǎo)體的性質(zhì)，有望用于制造高速電子線路等。 [>jbhV'  
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研究小組在2厘米長(zhǎng)、1厘米寬的硅基板表面，覆蓋上陶瓷薄膜，然后在特殊真空裝置中將其加熱到900攝氏度。于是，硅基板所含的硅元素就穿透陶瓷薄膜，出現(xiàn)在陶瓷薄膜表面，形成硅薄膜。如果將基板做得更大，就可以制作出更大面積的硅薄膜。 S]}nm  
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