鍍增透膜后的基底就像有一層霧一樣是什么原因，望各位前輩給小弟解答一下（多層膜，膜系al2o3 zro2 mgf2） GMKY1{   
還有在鍍多層膜過程中，是否要對基底經(jīng)行全程烘烤以便保持基底溫度，鍍膜時間大約持續(xù)1小時

鍍灰了！找機器毛病

中國鍍膜人:鍍灰了！找機器毛病 (2013-10-13 21:50)  ^WUG\@B  

'_l5Br73=  
能講解的詳細點兒嗎，應該從機器的什么方向改進，從溫度，真空度，還是電子槍蒸發(fā)速度，這個膜系制備過程中真空度平均在9*10-3pa左右，蒸發(fā)速度是al2o3 0.25nm/s ，zro2是0.15nm/s ，mgf2是1nm/s，還有在鍍膜全過程中是不是要求烘烤裝置全程打開對基底進行加熱。

烘烤不能停，一停溫度就下降很快的，還有如果沒有離子源鍍膜溫度要接近３００度，因為ＭＧＦ２材料容易脫膜，還有你的真空度太低了，應該不低于5*10-3pa，另外，如果是基底是ＺＦ料，這個材料組合可能不合適

yzhuang:烘烤不能停，一停溫度就下降很快的，還有如果沒有離子源鍍膜溫度要接近３００度，因為ＭＧＦ２材料容易脫膜，還有你的真空度太低了，應該不低于5*10-3pa，另外，如果是基底是ＺＦ料，這個材料組合可能不合適 (2013-10-16 09:11)  #_'| TT>p#  

aUbmEHFTV  
對于這個膜系我 用經(jīng)典四層膜系（zro2（0.058） mgf2（0.072）  zro2（0.5）  mgf2（0.25））做了一些代替 并且在mgf2外層又加鍍了10nm左右的sio2作為保護層，但是真空度就是控制的不好，請問您，在鍍膜過程中有沒有一些常用的方法能控制好真空度的數(shù)值。ps：我們現(xiàn)在鍍膜所采用的蒸發(fā)速度是al2o3 0.25nm/s ，zro2是0.15nm/s ，mgf2是1nm/s。

你ZRO2鍍的不慢嗎？你的工藝存在問題。 2)(ynrCe  

1,、測溫度。無離子源不能低于300，鍍完膜再關烘烤。 `R,g_{Mj  
2、真空度太低，必須5.0E-3以下，最好3.0E-3 E{xcu9  
3、蒸發(fā)速率。ZrO2太慢，MgF2有點快，3-5埃/s KLCd`vr.xf  
4、氧化物需要充氧

我覺得是基底的原因吧 打底材料部合適 出現(xiàn)白暈膜吧

6樓說的不錯，再一個問題要看看基底有沒有清潔干凈。

zro2 速率調(diào)到3 D]