鍍?cè)鐾改ず蟮幕�底就像有一層霧一樣是什么原因，望各位前輩給小弟解答一下（多層膜，膜系al2o3 zro2 mgf2） FzXVNUMP  
還有在鍍多層膜過(guò)程中，是否要對(duì)基底經(jīng)行全程烘烤以便保持基底溫度，鍍膜時(shí)間大約持續(xù)1小時(shí)

鍍灰了！找機(jī)器毛病

中國(guó)鍍膜人:鍍灰了！找機(jī)器毛病 (2013-10-13 21:50)  ]7}2"?J4v  

+e. bO5Y  
能講解的詳細(xì)點(diǎn)兒?jiǎn)�，�?yīng)該從機(jī)器的什么方向改進(jìn)，從溫度，真空度，還是電子槍蒸發(fā)速度，這個(gè)膜系制備過(guò)程中真空度平均在9*10-3pa左右，蒸發(fā)速度是al2o3 0.25nm/s ，zro2是0.15nm/s ，mgf2是1nm/s，還有在鍍膜全過(guò)程中是不是要求烘烤裝置全程打開對(duì)基底進(jìn)行加熱。

烘烤不能停，一停溫度就下降很快的，還有如果沒(méi)有離子源鍍膜溫度要接近３００度，因?yàn)椋停牵疲膊牧先菀酌撃ぃ�還有你的真空度太低了，應(yīng)該不低于5*10-3pa，另外，如果是基底是ＺＦ料，這個(gè)材料組合可能不合適

yzhuang:烘烤不能停，一停溫度就下降很快的，還有如果沒(méi)有離子源鍍膜溫度要接近３００度，因?yàn)椋停牵疲膊牧先菀酌撃�，還有你的真空度太低了，應(yīng)該不低于5*10-3pa，另外，如果是基底是ＺＦ料，這個(gè)材料組合可能不合適 (2013-10-16 09:11)  & F\HR  

*P]FX-D3  
對(duì)于這個(gè)膜系我 用經(jīng)典四層膜系（zro2（0.058） mgf2（0.072）  zro2（0.5）  mgf2（0.25））做了一些代替 并且在mgf2外層又加鍍了10nm左右的sio2作為保護(hù)層，但是真空度就是控制的不好，請(qǐng)問(wèn)您，在鍍膜過(guò)程中有沒(méi)有一些常用的方法能控制好真空度的數(shù)值。ps：我們現(xiàn)在鍍膜所采用的蒸發(fā)速度是al2o3 0.25nm/s ，zro2是0.15nm/s ，mgf2是1nm/s。

你ZRO2鍍的不慢嗎？你的工藝存在問(wèn)題。 H=O/w3  

1,、測(cè)溫度。無(wú)離子源不能低于300，鍍完膜再關(guān)烘烤。 ahQdB
oj  
2、真空度太低，必須5.0E-3以下，最好3.0E-3 "@uKe8r|y  
3、蒸發(fā)速率。ZrO2太慢，MgF2有點(diǎn)快，3-5埃/s KG7