表面粗化提高GaN基LED光提取效率的模擬.PDF,需要的下載。 `,O7S9]R+
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摘要:影響GaN基LED的外量子效率低下的主要因素是光子在半導(dǎo)體和空氣界面處的全反射。根據(jù)實(shí)際芯片建立LED模型,利用蒙特卡羅方法進(jìn)行光線追跡模擬,分析了光子的主要損耗對出光效率的影響。計算不同的表面粗化微元,微元尺寸及微元底角對LED光提取效率的影響;比較不同微元形成的光場分布。模擬顯示:所設(shè)計最佳的表面粗化結(jié)構(gòu)在理想狀況 a~2Jf @I3
下可以提高光提取效率3倍以上。