早期在小積體電路時(shí)代，每一個(gè)6寸的外延片上制作數(shù)以千計(jì)的芯片，現(xiàn)在次微米線寬的大型VLSI，每一個(gè)8寸的外延片上也只能完成一兩百個(gè)大型芯片。外延片的制造雖動(dòng)輒投資數(shù)百億，但卻是所有電子工業(yè)的基礎(chǔ)。 $M)SsD~  

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　　硅晶柱的長(zhǎng)成，首先需要將純度相當(dāng)高的硅礦放入熔爐中，并加入預(yù)先設(shè)定好的金屬物質(zhì)，使產(chǎn)生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì)，接著需要將所有物質(zhì)融化后再長(zhǎng)成單晶的硅晶柱，以下將對(duì)所有晶柱長(zhǎng)成制程做介紹： 6HZtdRQF  
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　　長(zhǎng)晶主要程式： D2}^TIg  
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　　1、融化(MELtDown) ~588M 8~  
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　　此過程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復(fù)晶硅加熱制高于攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中最重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應(yīng)，若使用較大的功率來融化復(fù)晶硅，石英坩鍋的壽命會(huì)降低，反之功率太低則融化的過程費(fèi)時(shí)太久，影響整體的產(chǎn)能。 mH\zSk  
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