中國(guó)電科（CETC）第五十五研究所（NEDI）微信公眾號(hào)4月12日?qǐng)?bào)道，該所重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室張凱博士發(fā)表在國(guó)際半導(dǎo)體器件權(quán)威期刊《IEEE Electron DeviceLetters》上的論文《High-Linearity AlGaN/GaN FinFETs for Microwave Power Applications》即《三維鰭式GaN高線性微波功率器件》被國(guó)際半導(dǎo)體行業(yè)著名雜志《Semiconductor Today》進(jìn)行專欄報(bào)道，受到國(guó)內(nèi)外業(yè)界關(guān)注。 ~0/tU#&  
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張凱博士的論文聚焦重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室近期在GaN高線性技術(shù)方面獲得的多個(gè)重要突破，創(chuàng)新提出三維GaN FinFET微波功率器件,克服了GaN平面器件瓶頸，極大改善了跨導(dǎo)平整度，大幅提升GaN器件線性度,同時(shí)維持高的輸出功率和效率，為下一代移動(dòng)通信高性能元器件奠定基礎(chǔ)。本成果也是首次展示GaN三維器件相對(duì)于二維器件在微波功率應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)與潛力，有力推動(dòng)了GaN三維器件的實(shí)用化進(jìn)程。該成果研制過(guò)程中得到國(guó)家自然科學(xué)基金、預(yù)研基金等課題的支持。 WRIOj