lzh123:均勻性的問(wèn)題。。。。。影響均勻性的素較多 (2017-07-08 18:04)  gZ 9<H q  

I\":L  
好的   ，謝謝指導(dǎo)。我再試試看

fly6947:我建議你做一下圖一的重復(fù)性，如果每爐差，但是情況不一樣，那么是你的敏感層是H4，要么膜系結(jié)構(gòu)優(yōu)化一下，（圖2是單峰結(jié)構(gòu)，敏感度沒(méi)那么高）要么控制H4的預(yù)熔與充氧量；
如果每爐都這樣，那肯定是均勻性沒(méi)做好，有條件的話  高低折射率的mask單獨(dú)修一下；
....... (2017-06-29 08:46)  uK1DC i  

l.El3+  
H4  和SIO2用的是用一個(gè)。單層和膜系里單層肯定還是有些差異。敏感層是只有幾個(gè)NM。因?yàn)榉瓷湟��?.0下。

個(gè)人覺(jué)得，先去看看你設(shè)計(jì)的膜系里邊有沒(méi)有特別薄的層，然后該層的蒸發(fā)速率有多大，兩者之間匹配是否合理，就好比H4總膜厚5nm，然后速率設(shè)置的為5A/s，那就是說(shuō)10s就可以鍍完了，在鍍膜過(guò)程中有一個(gè)過(guò)沖值，就是擋板收到指令關(guān)閉與完全關(guān)閉有大概2S的延遲，也就是說(shuō)這兩秒鐘還有膜料在蒸鍍，這樣就會(huì)對(duì)特性造成很大的影響。第二個(gè)就是看一下鍍膜過(guò)程中光板的位置是否變動(dòng)較大，導(dǎo)致內(nèi)外圈差異較大。再或者就是鍍膜過(guò)程中是否出現(xiàn)鍍膜異常。還有就是你的傘罩有沒(méi)有變形，每次取的測(cè)試片是否為同一位置，傘罩變形的話每次取不同位置的鏡片特性自然不一樣。

敏感層的話，可以降低蒸發(fā)速率，增加鍍膜傘的轉(zhuǎn)速。最好是在設(shè)計(jì)上解決。 sQwRlx  
一般如果有鍍膜傘轉(zhuǎn)5周以內(nèi)就結(jié)束的層，就不是好的設(shè)計(jì)。

謝謝各位分析！

H4有連續(xù)使用嗎？或者餡料，打坑過(guò)深影響蒸發(fā)角度所致

SiO2和H4光斑都不一樣，蒸發(fā)曲線有差異，修正板形狀肯定不一樣。 Iw;i ".
 
建議你重新確認(rèn)下單層。 <~z@GMQCf  
T\v~"pMu*0  
敏感層上把傘架轉(zhuǎn)速增加，如果可以同時(shí)把蒸發(fā)速率降低。 (! a;}V<7  
然后再看看。

奔跑的小駿馬:個(gè)人覺(jué)得，先去看看你設(shè)計(jì)的膜系里邊有沒(méi)有特別薄的層，然后該層的蒸發(fā)速率有多大，兩者之間匹配是否合理，就好比H4總膜厚5nm，然后速率設(shè)置的為5A/s，那就是說(shuō)10s就可以鍍完了，在鍍膜過(guò)程中有一個(gè)過(guò)沖值，就是擋板收到指令關(guān)閉與完全關(guān)閉有大概2S的延遲，也就是說(shuō)這兩秒鐘還有膜 .. (2017-07-10 18:16)  L"L a|  

C]a iu  
這個(gè)膜后少的都是用2.0 或3.0.

suninrain:H4有連續(xù)使用嗎？或者餡料，打坑過(guò)深影響蒸發(fā)角度所致 (2017-09-14 00:04)  |#5_VEG  

4EFP*7X  
這個(gè)有可能是一個(gè)鍋，有小坑不是很深，這個(gè)可能大一點(diǎn)。

有時(shí)候?qū)訑?shù)不一樣最佳修正板形狀也不一樣。 最薄的層是2nm 3nm嗎？這個(gè)是不是太薄了，膜表面的粗糙度都比這個(gè)大吧。感覺(jué)會(huì)大大增加鍍膜誤差。