在硅晶片上生產(chǎn)半導體激光器是電子行業(yè)長期以來的目標，但事實證明這種制造工藝極具挑戰(zhàn)性�，F(xiàn)在，A*STAR研究所的研究人員開發(fā)了一種新制造方法，這種方法便宜、簡單而且可擴展性強。 ;Z-%'5hKM  
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混合硅激光器將III-V族半導體（如砷化鎵和磷化銦）的發(fā)光特性與成熟的硅制造技術(shù)相結(jié)合。這些激光器引起了相當大的關注，因為它們可以將光子和微電子元件集成在一個單一的硅芯片，獲得價格低廉、可批量生產(chǎn)的光學器件。它們具有廣泛的應用前景，從短距離數(shù)據(jù)通信到高速、長距離光傳輸。 WKONK;U+7  
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然而，在目前的生產(chǎn)過程中，在單獨的III-V半導體晶片上制造激光器，然后將其單獨對準每個硅器件——這是耗時又昂貴的工藝，限制了芯片上激光器的數(shù)量。為了克服這些局限性，來自A*STAR數(shù)據(jù)存儲研究所的Doris Keh-Ting Ng及其同事開發(fā)了一種用于生產(chǎn)混合III-V半導體和絕緣體上硅薄膜（SOI）光學微腔的創(chuàng)新方法。這大大降低了制造工藝的復雜性，使器件結(jié)構(gòu)更加緊湊。 U~Rs?JmTdD  
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