近期，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所鎵砷鉍（GaAsBi）量子阱激光器研究取得新進(jìn)展。研究員王庶民領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)采用分子束外延方法生長(zhǎng)了鎵砷鉍量子阱材料，并成功制備出目前發(fā)光波長(zhǎng)最長(zhǎng)（1.142微米）的電泵浦鎵砷鉍室溫（300 K）量子阱激光器，突破之前1.06微米的世界紀(jì)錄，脈沖激射最大輸出功率達(dá)到127 mW，并在273 K首次報(bào)道連續(xù)激射。相關(guān)研究論文1.142 μm GaAsBi/GaAs Quantum Well Lasers Grown by Molecular Beam Epitaxy 于6月5日在ACS Photonics（DOI: 10.1021/acsphotonics.7b00240）上發(fā)表。 L_+0[A  
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