近年來(lái)，有關(guān)二維物質(zhì)的研究發(fā)現(xiàn)有爆發(fā)的趨勢(shì)。幾乎每隔一段時(shí)間，就有科學(xué)家宣布某種突破或應(yīng)用，比如經(jīng)常搶占頭條的石墨烯。不過(guò)德國(guó)維爾茨堡大學(xué)的研究人員們，則開(kāi)發(fā)出了另一種超薄材料 —— bismuthene 。它是一種特殊的材料組合，即在碳化硅基底上，沉積單層鉍原子。而它的特性，可帶來(lái)計(jì)算和數(shù)據(jù)傳輸上的進(jìn)步，因其在電子搬運(yùn)上有很高的效率。 2-N7%
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該物質(zhì)被歸為“拓補(bǔ)絕緣體”一類(lèi)的材料，內(nèi)部絕緣、但表面導(dǎo)電（量子效應(yīng)）。材料中的傳導(dǎo)渠道可防止自旋散射，從而減少電子損耗。 }~PG]A  
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唯一的問(wèn)題是，它們通常只能在 -270℃ 的溫度下良好工作，這種限制使得其在電子設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用變得不切實(shí)際。 D_$N2>I-  
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好消息是，Bismuthene 在擁有與其它拓補(bǔ)絕緣體相同特性的同時(shí)，還可以在室溫（甚至更高溫度）下工作。在將鉍膜運(yùn)用到基板上之后，原子就自形成了結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的六邊形化學(xué)鍵。 ~MC5rOA  
這種形式，與我們?cè)谑�墨烯上所�?jiàn)到的是一樣的。然而與石墨烯不同的是，Bismuthene 的化學(xué)鍵是依托于碳化硅實(shí)現(xiàn)的。 }vOg9/[{  
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研究人員之一的 Ronny Thomale 教授解釋到：“鉍在常態(tài)下是一種導(dǎo)電金屬，而在室溫和更高溫度下，單層蜂窩仍是一種獨(dú)特的絕緣子”。 *y7Yf7  
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由于該材料可在更高溫度下使用，使得它成為了電子領(lǐng)域的理想選擇。鉍的導(dǎo)電通道是非常穩(wěn)定的，且數(shù)據(jù)傳輸極有效率。 K0C"s'q  
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借助顯微技術(shù)，科學(xué)家們已經(jīng)證實(shí)，Bismuthene 幾乎可以在沒(méi)有數(shù)據(jù)損失的情況下發(fā)送信息。這種傳輸通道是‘受到保護(hù)’的。 xg^%8Ls^  
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另一位研究員 Ralph Claessen 表示：“該方法讓數(shù)據(jù)傳輸時(shí)的電子自旋更少”。與此同時(shí)，由于不在需要超冷卻來(lái)研究到店通道中的量子效應(yīng)，自選電子學(xué)領(lǐng)域亦有望迎來(lái)快速發(fā)展。 .E+O,@?<  
當(dāng)然，針對(duì)量子數(shù)據(jù)傳輸?shù)母呒?jí)研究仍處于初級(jí)階段，距離商業(yè)運(yùn)用更是遙遠(yuǎn)。