新型半導(dǎo)體材料僅一個分子厚
俄國立研究型技術(shù)大學(xué)(NUST MISIS)莫斯科鋼鐵冶金學(xué)院與北京交通大學(xué)、澳大利亞昆士蘭科技大學(xué)和日本國立材料科學(xué)研究所的科學(xué)家一起,制成厚度為一個分子的氮化硼新型半導(dǎo)體材料。
半導(dǎo)體是現(xiàn)代電子學(xué)的基礎(chǔ),目前世界領(lǐng)先國家正展開半導(dǎo)體微型化競賽。新技術(shù)可用于制造“塊頭”僅為現(xiàn)有處理器千分之一的納米處理器,新處理器更省電,從而使電池微型化。如此一來,極輕的心臟起搏器、便宜的VR眼鏡、耳環(huán)型手機(jī)等大批“看不見”的電子產(chǎn)品也將應(yīng)運(yùn)而生。 關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體
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