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硅光子應(yīng)用新進(jìn)展:3D激光寫(xiě)入數(shù)值孔徑成為關(guān)鍵

發(fā)布:cyqdesign 2017-10-25 11:26 閱讀:3542
近日,來(lái)自于法國(guó)、卡塔爾、俄羅斯和希臘的科學(xué)家MargauxChanal等人在最新一期的《自然通訊》(NatureCommunications)雜志上發(fā)表了一篇名為《Crossingthethresholdofultrafastlaserwritinginbulksilicon》的論文。論文中表示,之前在硅中進(jìn)行超快速激光寫(xiě)入的嘗試中,飛秒激光器結(jié)構(gòu)上無(wú)法對(duì)體硅進(jìn)行處理的問(wèn)題得到了突破,采用極端NA值允許激光脈沖可實(shí)現(xiàn)足夠的電離破壞硅中化學(xué)鍵,導(dǎo)致硅材料永久性結(jié)構(gòu)改變。 :bP <H  
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