中科院光電所暗場顯微增強介質微球超分辨成像質量研究取得進展
在光學成像領域中,由于受到衍射極限的限制,常規(guī)成像分辨率難以突破200nm。生物醫(yī)學、集成電路等領域對提高成像分辨率有迫切要求,如何實現(xiàn)更高成像分辨率成為近年來的熱門研究方向之一。 受自然界微滴可提高成像分辨率的啟發(fā),2011年科學家提出將直徑在微米級的介質微球直接放置于待測樣品表面,在普通白光顯微下即可達到50nm的分辨能力。介質微球超分辨顯微方式以其簡單靈活的特點,受到國內(nèi)外廣泛關注,但微球的成像對比度一直有待提高。 近日,中國科學院光電技術研究所研究團隊發(fā)展出一種利用暗場顯微有效提高成像高頻成分含量的方法,具有降低成像低頻成分的特點,結合微球超分辨能力,可實現(xiàn)更高對比度的微結構超分辨顯微。該方法通過時域有限差分法模擬分析微球在不同浸沒方式、浸沒深度情況下的半高寬及光強值等得到更優(yōu)化的超分辨能力,模擬結果如圖1所示。在此基礎上,通過二氧化硅和鈦酸鋇微球在不同浸沒情況下觀察特征尺寸為139nm的硅光柵結構,實驗結果如圖2所示。可以看出,在暗場顯微時成像對比度明顯得到增強。 |