現(xiàn)在使用的離子源存在兩個(gè)問題： BN~gk~t_  
1、加速電流非常不穩(wěn)定，突變比較大，數(shù)量在10mA以內(nèi)波動(dòng)；是否跟離子源工作狀態(tài)的穩(wěn)定性有關(guān)？ W\pO`FL  
2、加速電流設(shè)置不知道多少數(shù)值為佳？ @}<b42  
有沒有懂得，指點(diǎn)一二。 )ppIO"\  

是不是設(shè)定在最大輸出功率 的60~80%，會(huì)不會(huì)是比較妥當(dāng)?shù)膥 u Wxl\+_i  
mHF?t.y  
加速電流我不清楚能不能設(shè)定，參數(shù)那邊我只知道可以設(shè)定加速電壓

10mA很小了。光馳基本上是100mA的變化。 l{mC|8X  
加速電流變化一般是氣體流量的問題，氣體流量是受真空壓力變化波動(dòng)的。 XM57 UG  
而真空壓力波動(dòng)的原因很大一部分是受電子槍蒸發(fā)的影響。 XI\P#"  
LEC=@) B  
一般RF源出廠時(shí)候做分布都是最高電壓最大電流為基準(zhǔn)的。 ]S 3l' "  
所以最大電流分布是最好的。但是電流大了電壓高了，  =$-+~  
溫度也就高了，膜系的應(yīng)力會(huì)受影響。 P
47x-;  
可能會(huì)產(chǎn)生脫膜，變形等問題。

rexchou:是不是設(shè)定在最大輸出功率 的60~80%，會(huì)不會(huì)是比較妥當(dāng)?shù)膥
加速電流我不清楚能不能設(shè)定，參數(shù)那邊我只知道可以設(shè)定加速電壓 (2017-12-01 10:06)  1<Vke$  

On0,#i=  
加速電壓是膜系參數(shù)設(shè)置的，電流好像可以通過界面設(shè)置，但是鍍膜過程記錄中這個(gè)加速電流一直在波動(dòng)，外觀做不好，我懷疑跟這個(gè)有關(guān)系。但是不能確定，所以問一下你們有沒有做過這些驗(yàn)證。

ouyuu:10mA很小了。光馳基本上是100mA的變化。 bokr,I3  
加速電流變化一般是氣體流量的問題，氣體流量是受真空壓力變化波動(dòng)的。 NKc<nYdK?  
而真空壓力波動(dòng)的原因很大一部分是受電子槍蒸發(fā)的影響。
一般RF源出廠時(shí)候做分布都是最高電壓最大電流為基準(zhǔn)的。 S$gLL kD1  
....... (2017-12-01 17:22)  Ta$55K0  

wYLodMaYH  
膜層倒是沒有受多大的影響，但是外觀感覺不太穩(wěn)定，會(huì)不會(huì)與加速電流波動(dòng)有關(guān)啊？

外觀？指顏色還是發(fā)霧，或者是灰塵？ o'Fyo4Qd  
原因不一樣的。

我以前有一個(gè)類似的情況：我是AR氣瓶端接口處漏氣，使MFC氣流量不穩(wěn)定，但beam電流是穩(wěn)定的，鍍出的膜色也不穩(wěn)定。你那個(gè)情況beam不穩(wěn)，折射率有偏差。

10mA的變化不算什么。如果設(shè)定是1000mA的話，也就1%左右。 w~&#:F?
  
這點(diǎn)變化量比傘差還小，根本不可能引起折射率問題。 A@Lr(L  
A6J:!sY4A  
漏氣也不太可能造成氣流不穩(wěn)。 ^vTx%F  
氣流是MFC控制的，而漏點(diǎn)在MFC前面，漏不漏氣MFC一樣控制。 1GIBqs~-  
真正的原因在氣體純度變化了，空氣里大部分是氮?dú)狻?span style="display:none"> PVIZ Y^64  
你鍍的氧化物材料變成了部分的氮化物材料。

ouyuu:外觀？指顏色還是發(fā)霧，或者是灰塵？ J]w3iYK  
原因不一樣的。 (2017-12-04 00:36)  Xit@.:a;  

rNKeY48\  
外觀就是點(diǎn)子，具體是灰塵還是啥，還真不好說，呈現(xiàn)出來的是密集型的小點(diǎn)子一樣。

點(diǎn)子更可能是中和器引起的。 63_#*6Pv28  
中和器多維護(hù)，點(diǎn)子就會(huì)少很多。