中科院半導(dǎo)體所二維半導(dǎo)體磁性摻雜研究取得進展
近年來,二維范德華材料如石墨烯、二硫化鉬等由于其獨特的結(jié)構(gòu)、物理特性和光電性能而被廣泛研究。在二維材料的研究領(lǐng)域中,磁性二維材料具有更豐富的物理圖像,并在未來的自旋電子學中有重要的潛在應(yīng)用,越來越受到人們的關(guān)注。摻雜是實現(xiàn)二維半導(dǎo)體能帶工程的重要手段,如果在二維半導(dǎo)體材料中摻雜磁性原子,則這些材料可能在保持原有半導(dǎo)體光電特性的同時具有磁性。近日,中國科學院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體超晶格國家重點實驗研究員魏鐘鳴、李京波帶領(lǐng)的科研團隊,在鐵摻雜二維硫化錫(Fe-SnS2)晶體的光、電和磁性研究方面取得新進展。 硫化錫(SnS2)是一種光電性能優(yōu)異的二維范德華半導(dǎo)體材料,也是目前報道的光電響應(yīng)時間最快的二維半導(dǎo)體材料之一。該材料無毒、環(huán)境友好,含量較豐富而且易于制備。該研究團隊通過用傳統(tǒng)的化學氣相輸運法摸索生長條件,獲得不同摻雜濃度的高質(zhì)量的Fe-SnS2單晶,然后通過機械剝離法獲得二維Fe-SnS2納米片。掃描透射電子顯微鏡(STEM)結(jié)果表明,F(xiàn)e原子是替位摻雜在Sn原子的位置,并且均勻分布。通過生長條件的調(diào)控,結(jié)合X射線光電子能譜(XPS)分析,可以獲得一系列不同的晶體,鐵的摻雜濃度分別為2.1%、1.5%、1.1%。單層Fe0.021Sn0.979S2的場效應(yīng)晶體管測試表明該材料是n型,開關(guān)比超過106,同時遷移率為8.15cm2V-1s-1,光響應(yīng)度為206mAW-1,顯示了良好的光電性能。 單晶片磁性測試表明,SnS2是抗磁性的,F(xiàn)e0.021Sn0.979S2和Fe0.015Sn0.985S2具有鐵磁性,而Fe0.011Sn0.989S2顯示出順磁性。實驗測得Fe0.021Sn0.979S2的居里溫度為31K。當溫度為2K,外磁場沿垂直c軸和平行c軸方向時可以獲得不一樣的磁性,即強烈的磁各向異性。理論計算表明,F(xiàn)e-SnS2的磁性來源于Fe原子與相鄰S原子的反鐵磁耦合,而相鄰Fe原子間是鐵磁耦合,這樣在這種磁性原子摻雜材料中形成了長程鐵磁性。該研究表明鐵摻雜硫化錫在未來的納米電子學、磁學和光電領(lǐng)域有潛在的應(yīng)用。 |