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2023-04-21 16:24 |
Ansys Lumerical | 光子集成電路之PN 耗盡型移相器仿真工作流
01 說(shuō)明 F7`3,SzHp
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本文旨在介紹Ansys Lumerical針對(duì)有源光子集成電路中PN耗盡型移相器的仿真分析方法。通過(guò)FDE和CHARGE求解器模擬并計(jì)算移相器的性能指標(biāo)（如電容、有效折射率擾動(dòng)和損耗等），并創(chuàng)建用于INTERCONNECT的緊湊模型，然后將其表征到INTERCONNECT的測(cè)試電路中實(shí)現(xiàn)，模擬反向偏置電壓對(duì)電路中信號(hào)相移的影響。 aD,sx#g0
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02 綜述 y88FT#hR|5
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這里假設(shè)移相器的結(jié)構(gòu)沿光傳播方向是均勻的，因此僅模擬器件的橫截面。我們將演示每個(gè)部分的仿真及結(jié)果。 Y&aFAjj
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步驟1：電學(xué)模擬 oBr/CW
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利用CHARGE求解器對(duì)移相器組件進(jìn)行電學(xué)模擬，獲得電荷載流子的空間分布作為偏置電壓的函數(shù)，并將電荷分布數(shù)據(jù)導(dǎo)出為charge.mat文件。根據(jù)載流子濃度，我們也可以估計(jì)器件電容。 `'[u%U
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