上海微系統(tǒng)所成功開發(fā)面向二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質(zhì)晶圓

中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所（以下簡稱上海微系統(tǒng)所）狄增峰研究員團(tuán)隊(duì)在面向低功耗二維集成電路的單晶金屬氧化物柵介質(zhì)晶圓研制方面取得突破性進(jìn)展。2024年8月7日，相關(guān)成果以《面向頂柵結(jié)構(gòu)二維晶體管的單晶金屬氧化物柵介質(zhì)材料》（Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-gate 2D transistors）為題，發(fā)表于國際學(xué)術(shù)期刊《自然》。 T:g%b @  
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硅基集成電路是現(xiàn)代技術(shù)進(jìn)步的基石，但在尺寸縮小方面面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。當(dāng)硅基晶體管溝道厚度接近納米尺度時，特別是小于幾納米，晶體管的性能就會顯著下降，進(jìn)一步持續(xù)發(fā)展面臨物理極限的瓶頸。二維半導(dǎo)體材料具有高載流子遷移率和抑制短溝道效應(yīng)等優(yōu)勢，是下一代集成電路芯片的理想溝道材料。三星正致力于將二維半導(dǎo)體材料應(yīng)用于高頻和低功耗芯片制造。臺積電正在研究如何將二維半導(dǎo)體材料集成到現(xiàn)有半導(dǎo)體制程中，以提高晶體管的性能和降低功耗。歐盟通過“歐洲芯片法案”，推動二維半導(dǎo)體材料的研究和開發(fā)，聯(lián)合IMEC建成歐洲第一條二維半導(dǎo)體材料先導(dǎo)中試線，促進(jìn)歐洲在二維半導(dǎo)體領(lǐng)域的前瞻布局和自主創(chuàng)新。 Qp