中科院半導(dǎo)體所提出免于退極化效應(yīng)的光學(xué)聲子軟化新理論

通過晶體管持續(xù)小型化以提升集成度的摩爾定律已接近物理極限，但主要問題在于晶體管功耗難以等比例降低。有研究提出，進(jìn)一步降低功耗有兩種途徑。一是尋找擁有比二氧化鉿（HfO2）更高介電常數(shù)和更大帶隙的新型高k氧化物介電材料；二是采用鐵電/電介質(zhì)柵堆疊的負(fù)電容晶體管，降低晶體管的工作電壓和功耗。氧化物高k介電常數(shù)和鐵電相變均源于光學(xué)聲子軟化。此前，科學(xué)家認(rèn)為，只有當(dāng)Born有效電荷足夠強(qiáng)以使得長程庫倫作用超越短程原子鍵強(qiáng)度時(shí)，才會出現(xiàn)光學(xué)聲子軟化，但強(qiáng)Born有效電荷導(dǎo)致材料的介電常數(shù)與帶隙成反比，難以同時(shí)擁有高介電常數(shù)和大帶隙，引起界面退極化效應(yīng)，限制了材料的應(yīng)用。 N0}[&rE 8  
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