上海光機(jī)所在基于SiN-Ti:Sapphire異質(zhì)集成的可見(jiàn)-近紅外波段寬帶波導(dǎo)放大器研究方面取得進(jìn)展

近期，中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所空天激光技術(shù)與系統(tǒng)部王俊研究員團(tuán)隊(duì)在基于SiN-Ti:Sapphire異質(zhì)集成的可見(jiàn)-近紅外波段寬帶波導(dǎo)放大器研究方面取得進(jìn)展。相關(guān)成果以“Design of a broadband Si3N4 waveguide amplifier based on a gain medium of ion-sliced titanium-doped sapphire”為題發(fā)表于Optics Letters。 wW()Zy0)  
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自1982年發(fā)明以來(lái)，Ti:Sapphire激光器在基礎(chǔ)物理、化學(xué)光譜學(xué)和生物研究中實(shí)現(xiàn)了眾多應(yīng)用。與其他固態(tài)增益材料相比，摻鈦的藍(lán)寶石晶體 (化學(xué)式為Ti3+: Al2O3，簡(jiǎn)稱Ti:Sapphire）具有許多優(yōu)勢(shì)，包括寬調(diào)諧范圍 (600~1200 nm)、大面積發(fā)射截面以及多種不同波長(zhǎng)的光源。最近，Joshua Yang等人展示了一項(xiàng)里程碑式的工作，通過(guò)Ti:Sapphire單晶和 SiO2晶圓的晶片鍵合、CMP 拋光和干法蝕刻制成的Ti:Sapphire激光器實(shí)現(xiàn)了超低亞毫瓦的激光閾值放大。然而，通過(guò)干法蝕刻控制Ti:Sapphire薄膜厚度帶來(lái)了效率低、成本高且不適合大規(guī)模生產(chǎn)的問(wèn)題。 1l]C5P}E