| speos |
2024-12-02 14:28 |
hyperlith光刻軟件
極紫外光刻 (EUV) 1'DD9d{ qN
9/3gF)I}
嚴(yán)格的 OPC 和源優(yōu)化 F#_JcEE
嵌入式多層鏡面缺陷任意缺陷幾何形狀 u;p.:{'
可檢測性 pEgQ)
9\
印刷適性 P{j2'gg3
離軸陰影效應(yīng)、HV 偏差（包括非常量散射系數(shù)）吸收器堆棧分析（EM-Stack）吸收器輪廓（側(cè)壁和拐角圓化吸收體缺陷EUV 的 OPC（小面積）多層鏡面結(jié)構(gòu) (PSM) _/Ky;p.
`|?K4<5|
雙重圖案 :YaEMQJ^
&R+/Ie#0dz
光刻蝕刻 光刻蝕刻 w SoIU,I
光刻凍結(jié) 光刻蝕刻 h>\T1PM
側(cè)壁間隔物 6 'CZfs\
晶圓形貌效應(yīng) jMv qKJ(<
非平面光阻 " &2Kvsz
首次接觸時的潛在特征 y%%D ="
0Oy.&C T
相移掩模版 K ZoI jK]
G J"S*30
交替 PSM：移位和不移位開場之間的強度不平衡 &Omo\Oq&W>
相位缺陷 nmI os]B
濕法蝕刻/雙溝槽 _8x:%$
無鉻相光刻 Tbf't^Ot$
衰減相移掩模版 k4:$LFw@
脫保護(hù)收縮的 NTD jb;!"H C
SEM 誘導(dǎo)收縮 -]yM< dP
EUV 和 DUV 的隨機效應(yīng) IoO t
| |