我國科研團(tuán)隊研制出新型鋯鈦酸鉛光子集成工藝開發(fā)套件

薄膜鋯鈦酸鉛鐵電材料可在氧化硅上完成大尺寸、高質(zhì)量晶體薄膜沉積生長，利于實現(xiàn)低成本、大規(guī)模生產(chǎn)使用。該材料有望突破傳統(tǒng)材料體系在帶寬和能效上的設(shè)計瓶頸，實現(xiàn)低能耗、高速率、高度集成的片上電光調(diào)制。 UySZbmP48  
y766; X:J  
中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員李明聯(lián)合中國科學(xué)院大學(xué)杭州高等研究院研究員邱楓，對晶圓級鋯鈦酸鉛薄膜材料的制備與加工展開攻關(guān)。該研究利用液相沉積與磁控濺射組合工藝完成了4英寸晶圓薄膜的低成本大規(guī)模制備，研制出首個公開報道的新型鋯鈦酸鉛光子集成工藝開發(fā)套件PDK庫。這一研究實現(xiàn)了從材料生長到器件設(shè)計與制備的全流程自主可控研發(fā)，突破了傳統(tǒng)光學(xué)材料在制造高速電光調(diào)制器時面臨的調(diào)制帶寬和能效瓶頸。 ]Q)OL