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光行天下 -> TracePro -> LED封裝結(jié)構(gòu)的光學(xué)模擬與設(shè)計(jì) [點(diǎn)此返回論壇查看本帖完整版本] [打印本頁]

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yyw314 2008-12-30 09:03

LED封裝結(jié)構(gòu)的光學(xué)模擬與設(shè)計(jì)

謝謝樓主分享
trewdef1 2008-12-30 15:47
非常感謝Q!!
trewdef1 2008-12-30 15:48
非常感謝Q!!
wangshuai 2009-01-01 09:39
xiexiele !!!!
doucan 2009-01-01 10:26
了解一下!
peak02 2009-01-03 21:14
好東西是要頂?shù)?nbsp;   
ldch 2009-01-04 21:28
好資料,看看
xtzydesign 2009-01-04 21:49
正在學(xué)習(xí)中 剛接觸這個行業(yè)
spruce 2009-01-05 13:22
學(xué)習(xí)中,希望有用
xzf851120 2009-01-05 13:58
看一下,謝謝
心靈曲線 2009-01-05 14:11
感謝樓主,學(xué)習(xí)一下!
rorce 2009-01-09 11:01
多謝,很需要
whonisee 2009-01-10 19:10
值得學(xué)習(xí)的資料,感謝您!
veve 2009-01-11 12:24
謝謝。。。。。。。。。。。
davy1li 2009-01-12 12:52
hao !!!!!1111
mengss 2009-01-12 19:35
呵呵,學(xué)習(xí)一下
小蔡 2009-01-12 22:58
謝謝  竟然那么前回復(fù)
yhwpop 2009-01-13 15:37
建議將回復(fù)放到 帖子的前面,每次都要轉(zhuǎn)滾輪到最后才能回復(fù),著急。
jacky-mao 2009-01-13 15:56
學(xué)習(xí)一下!
zhangqihui 2009-01-13 20:44
好,希望是好東西,呵呵
momo193 2009-01-14 00:11
謝謝大大分享!!
sandy163 2009-01-14 09:19
看看,不知道怎么樣
kingz 2009-01-14 16:15
感謝分享
zsjshujian 2009-01-15 15:01
tgfdfgvbsdbvg
qingdou 2009-01-15 18:15
Lz辛苦了,謝謝
cjsir 2009-01-16 11:00
非常感謝提供寶貴資料
anthonych 2009-01-17 01:43
thanks.............
sido 2009-01-20 14:46
謝謝樓主!!!
w_x_l_999 2009-01-20 16:09
學(xué)習(xí)哦,TP學(xué)習(xí)中哦,希望大家多交流哦
adamxiong 2009-01-21 14:25
LED的 必須要看看
下雨不發(fā)愁 2009-02-01 09:43
正好是我需要的 謝謝
steadyled 2009-02-03 21:44
謝謝,不支持說不過去哦!
seagullze 2009-02-04 19:26
kankan1
sephiroth 2009-02-05 22:02
OLED生產(chǎn)用的主要原材料介紹0 8!35 K  
l@SV!keQ  
oled用材料主要有電極材料,載流子輸送材料和發(fā)光材料。 K0w!gie3   sHPAr}14  
X gT'mG   1d+Kn Jy  
1電極材料 NdA\n1:+8a   C+t3a@&|  
^aP\V@g+   g~-IT&O  
1) 陰極材料 Eu|M95 -   e=h-}XRC  
為提高電子的注入效率,要求選用功函數(shù)盡可能低的材料做陰極,功函數(shù)越低,發(fā)光亮度越高,使用壽命越長。 >bN _d   ;/V])4=  
0}|t8".m   7l-MV n_8  
a.單層金屬陰極 H_VN!mJ^O   *PlKl_nP6  
如ag 、al 、li 、mg 、ca 、in等。 FC]MDEn5I   |in>`:qk  
X]qQT8G,q   6I(Y<LZ5  
本部分設(shè)定了隱藏,您已回復(fù)過了,以下是隱藏的內(nèi)容b.合金陰極 xKz[VkB(4   xKBi".wA  
將性質(zhì)活潑的低功函數(shù)金屬和化學(xué)性能較穩(wěn)定的高功函數(shù)金屬一起蒸發(fā)形成金屬陰極、如mg: ag(10: 1),li:al (0.6%li) 合金電極,功函數(shù)分別為3.7ev和3.2ev。 zCU ;~$   x(sKkm`Q  
優(yōu)點(diǎn):提高器件量子效率和穩(wěn)定性; AOb_sVl   G)YmaHeI;[  
能在有機(jī)膜上形成穩(wěn)定堅(jiān)固的金屬薄膜。 4} QmCek   M^\`~{*T  
G/RZ~.*?`   .n_Z0&i/w  
c.層狀陰極 H ANYcC7   Efe(tH2q  
由一層極薄的絕緣材料如lif, li2o,mgo,al2o3等和外面一層較厚的al組成,其電子注入性能較純al電極高,可得到更高的發(fā)光效率和更好的i-v特性曲線。 b= \*O 2-   z l`m1k-X  
nF\tr:)!>   ?4