| csk9818 |
2009-05-23 22:04 |
晶片結(jié)構(gòu)原理
針對倒裝芯片（Flipchip）大功率發(fā)光二極管器件，描述了大功率領(lǐng)導(dǎo)器件的熱阻特性，建立了Flipchip襯底粘接材料的厚度和熱導(dǎo)系數(shù)與粘接材料熱阻的關(guān)系曲線，以三類典型粘接材料為例計算了不同厚度下的熱阻，得出了Flipchip襯底粘接材料選擇的不同對大功率領(lǐng)導(dǎo)的熱阻存在較大影響的結(jié)論。 <-0]i_4sK
?關(guān)鍵詞： S[QrS 7
倒裝芯片；粘接材料;?大功率領(lǐng)導(dǎo);?熱阻? (i GTACoF
中圖分類號： B1Oq!k
TN305.94；TN15?文獻標(biāo)識碼：A?文章編號：1003-353X(2005)06-0049-03?1? |&jXp%4T
SY8C4vb'h
引言? 8r!zBKq2~
1998年美國Lumileds?照明公司封裝出世界上第一個大功率領(lǐng)導(dǎo)（1W?LUXOEN?器件），使領(lǐng)導(dǎo)器件從以前的指示燈應(yīng)用變成可以替代傳統(tǒng)照明的新型固體光源，引發(fā)了人類歷史上繼白熾燈發(fā)明以來的又一場照明革命。1W?LUXOEN器件使領(lǐng)導(dǎo)的功率從幾十毫瓦一躍超過1000毫瓦，單個器件的光通量也從不到1個?lm飛躍達到十幾個lm。大功率領(lǐng)導(dǎo)由于芯片的功率密度很高，器件的設(shè)計者和制造者必須在結(jié)構(gòu)和材料等方面對器件的熱系統(tǒng)進行優(yōu)化設(shè)計。?目前GaN基外延襯底材料有兩大類[1]?：一類是以日本“日亞化學(xué)”為代表的藍(lán)寶石；一類是美國CREE公司為代表的原文如此襯底。傳統(tǒng)的藍(lán)寶石襯底GaN芯片結(jié)構(gòu)如圖1所示，電極剛好位于芯片的出光面。在這種結(jié)構(gòu)中，小部分p-GaN層和“發(fā)光”層被刻蝕，以便與下面的n-GaN層形成電接觸。光從最上面的p-GaN層取出。p-GaN層有限的電導(dǎo)率要求在p-GaN層表面再沉淀一層電流擴散的金屬層。這個電流擴散層由Ni和Au組成，會吸收部分光，從而降低芯片的出光效率。為了減少發(fā)射光的吸收，電流擴展層的厚度應(yīng)減少到幾百納米。厚度的減少反過來又限制了電流擴散層在p-GaN層表面均勻和可靠地擴散大電流的能力。因此這種p型接觸結(jié)構(gòu)制約了LED芯片的工作功率。同時這種結(jié)構(gòu)pn結(jié)的熱量通過藍(lán)寶石襯底導(dǎo)出去，導(dǎo)熱路徑較長，由于藍(lán)寶石的熱導(dǎo)系數(shù)較金屬低（為35W/m•K），因此，這種結(jié)構(gòu)的LED芯片熱阻會較大。此外，這種結(jié)構(gòu)的p電極和引線也會擋住部分光線進入器件封裝，所以，這種正裝LED芯片的器件功率、出光效率和熱性能均不可能是最優(yōu)的。為了克服正裝芯片的這些不足，Lumileds Lighting公司發(fā)明了倒裝芯片（Flipchip）結(jié)構(gòu)，如圖2所示。在這種結(jié)構(gòu)中，光從藍(lán)寶石襯底取出，不必從電流擴散層取出。由于不從電流擴散層取光，這樣不透光的電流擴散層可以加厚，增加Flipchip的電流密度。同時這種結(jié)構(gòu)還可以將pn結(jié)的熱量直接通過金屬凸點導(dǎo)給熱導(dǎo)系數(shù)高的硅襯底（為145W/m•K），散熱效果更優(yōu)；而且在pn 結(jié)與p電極之間增加了一個反光層，又消除了電極和引線的擋光，因此這種結(jié)構(gòu)具有電、光、熱等方面最優(yōu)的特性。本文僅對藍(lán)寶石GaN倒裝芯片的襯底粘接材料對大功率LED器件熱特性的影響進行分析。 $]8Q(/mbK
bjS {(
2 基于Flipchip的大功率LED熱分析 j~QwV='S
+^<](z
我們知道，表征系統(tǒng)熱性能的一個主要參數(shù)是系統(tǒng)的熱阻。熱阻的定義為：在熱平衡的條件下，兩規(guī)定點（或區(qū)域）溫度差與產(chǎn)生這兩點溫度差的熱耗散功率之比。熱阻符號：Rθ或 Rth；熱阻單位：K/W或℃/ W一般倒裝型大功率LED表面貼裝到金屬線路板，也可以再安裝外部熱沉，增加散熱效果，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)以及外部應(yīng)用結(jié)構(gòu)如圖3所示[2,3]。 |D.ND%K&
[1] [2] [下一頁] u2[w#
功率LED芯片電極上焊接的數(shù)個BUMP（金球）與Si襯底上對應(yīng)的BUMP通過共晶焊接在一起，Si襯底通過粘接材料與器件內(nèi)部熱沉粘接在一起。為了有較好的取光效果，熱沉上制作有一個聚光杯，芯片安放在杯的中央，熱沉選用高導(dǎo)熱系數(shù)的金屬材料如銅或鋁。穩(wěn)態(tài)時LED熱阻的等效連接如圖4所示。根據(jù)熱阻的定義，可以得出 iyog`s c
. [ mR M
3 襯底粘接材料對大功率LED熱特性的影響 LED倒裝芯片被粘在管座（器件內(nèi)部熱沉）里，可以通過三種方式：導(dǎo)熱膠粘貼、導(dǎo)電型銀漿粘貼和錫漿粘貼。導(dǎo)熱膠的硬化溫度一般低于150℃，甚至可以在室溫下固化，但導(dǎo)熱膠的熱導(dǎo)率較小，導(dǎo)熱特性較差。導(dǎo)電型銀漿粘貼的硬化溫度一般低于200℃，既有良好的熱導(dǎo)特性，又有較好的粘貼強度。錫漿粘貼的熱導(dǎo)特性是三種方式中最優(yōu)的，一般用于金屬之間焊接，導(dǎo)電性能也非常優(yōu)越。 在大功率LED器件的封裝中，生產(chǎn)廠家容易忽略襯底粘接材料對器件熱導(dǎo)特性的影響。其實襯底粘接材料在影響器件熱導(dǎo)特性因素中是一個比較重要的因素，如果處理不好，將使得LED的熱阻過大，導(dǎo)致在額定工作條件下器件的結(jié)溫過高，導(dǎo)致器件的出光效率下降、可靠性降低。設(shè)倒裝芯片襯底的橫截面積為 A（m2），粘接材料的熱導(dǎo)系數(shù)為λ（W/m•K），粘接材料的高度為h（m），則粘接材料的熱阻為 PxE3K-S)G
8.~kK<)!
下面我們以臺灣國聯(lián)光電公司的Flipchip為例進行分析。國聯(lián)的芯片submount（襯底）是邊長為55mil的正方形，即A為1.96×10-6m2。我們來分析熱導(dǎo)系數(shù)為λ對粘貼材料熱阻的影響。當(dāng)h=20μm時，則 ~v"L!=~G;a
Y4(
這三種情況的熱阻與熱導(dǎo)系數(shù)的關(guān)系曲線如圖5所示。從圖中可以看出，當(dāng)選用鉛錫焊料63Sn/37Pb，λ=39W/m•K，同時其厚度等于20μm 時，RθAttach等于0.026（K/W），即使其厚度為 100μm，RΘAttach也只等于0.131（K/W）；當(dāng)選用熱沉粘接膠Ablefilm 5020K，λ=0.7W/m•K，同時其厚度等于20μm時， RΘAttach等于1.457（K/W），當(dāng)其厚度為100μm時， RΘAttach等于7.286（K/W）；當(dāng)我們選用導(dǎo)電型芯片粘接膠 Ablebond 84-1LMISR4，λ=2.5W/m•K，同時其厚度等于20μm時，RΘAttach等于0.408（K/W），當(dāng)其厚度為100μm時， RΘAttach等于2.041（K/W）。因此，選用不同的粘接材料對其熱阻存在很大的影響，同時，在印刷或涂敷芯片粘接材料時，如何降低材料厚度也十分重要。 snikn&
m#F`] {
4 結(jié)語 LED芯片結(jié)溫最高允許125℃，如果其最差工作環(huán)境溫度為65℃，則對一個1W的大功率LED來說，考慮到從大功率器件外部熱沉的熱阻一般為40 （K/W），器件pn結(jié)至器件的熱阻應(yīng)小于20（K/W）。而對一個5W的大功率LED來說，如果其最差工作環(huán)境溫度為65℃，則從pn結(jié)至環(huán)境的熱阻要小于12 K/W才能保證芯片結(jié)溫不超過125℃，而如果選用Ablefilm 5020K熱沉粘接膠，λ=0.7W/m•K同時其厚度為100μm，僅芯片粘貼材料的熱阻RΘAttach就等于7.286（K/W）。因此，在 Flipchip 大功率LED器件的封裝中，選用合適的芯片襯底粘貼材料并在批量生產(chǎn)工藝中保證粘貼厚度盡量小，對保證器件的可靠性和出光特性是十分重要的。 {}Za_(Y,]
|
|