| csk9818 |
2009-05-25 17:33 |
高亮度高純度白光LED封裝技術(shù)研究
摘要：通過對高功率 InGaN（藍(lán)）LED倒裝芯片結(jié)構(gòu)＋YAG熒光粉構(gòu)成白光LED的分析，可以得出這種結(jié)構(gòu)能提高發(fā)光效率和散熱效果的結(jié)論。通過對白光LED的構(gòu)成和電流/溫度/光通量的分析，可知在藍(lán)寶石襯底和環(huán)氧樹脂的界面間涂敷一層硅橡膠能改善光的折射率。改進(jìn)光學(xué)器件的封裝技術(shù)，可以大幅度提高大功率LED 的出光率（光通量）。 -iCcoA
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關(guān)鍵詞：高功率白光 LED 倒裝結(jié)構(gòu) 發(fā)光效率 yW.COWL=)
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l 引言 2*U.^]~"{
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白光 LED是以藍(lán)色LED為基礎(chǔ)光源，將藍(lán)色LED發(fā)出的一部分藍(lán)光用來激發(fā)熒光粉，使熒光粉發(fā)出黃綠光或紅光和綠光，另一部分藍(lán)色光透射出來，與熒光粉發(fā)出的黃綠光或紅光和綠光組成白光。藍(lán)色LED發(fā)出的藍(lán)色光(發(fā)光峰值波長在430nm或470nm)可與黃綠色熒光粉發(fā)出的黃綠光組成白光，也可與發(fā)出的發(fā)光峰值在650nm的紅光和發(fā)光峰值在540nm的綠光組成白光。為了獲得高的轉(zhuǎn)換效率，熒光粉的激發(fā)光譜的峰值應(yīng)在470nm附近，與藍(lán)色LED的發(fā)光峰值相近。 0W>9'Rw
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為了提高半導(dǎo)體高功率白光 LED器件發(fā)光效率和散熱效果，可采用倒裝InGaN(藍(lán))芯片結(jié)構(gòu)，以及在芯片周圍涂敷熒光粉。為了提高光的均勻性，需要將熒光粉均勻地涂敷在芯片的周圍。對于這樣的產(chǎn)品，實(shí)驗(yàn)已證明，電流和溫度的增加會(huì)使LED的光譜發(fā)生藍(lán)移和紅移，但對熒光光譜影響并不大。壽命試驗(yàn)結(jié)果也較好，φ5的白光LED在工作1.2×10 4 h后，光輸出才會(huì)下降至80％，而這種功率LED最高效率可達(dá)到44.3lm·W -1 ，最高光通量為l 87lm，產(chǎn)業(yè)化產(chǎn)品120Im，Ra為75～80。目前，國內(nèi)外制作白光LED的方法是先將LED芯片放置在封裝的基片上，用金絲進(jìn)行鍵合，然后在芯片周圍涂敷YAG熒光粉，再用環(huán)氧樹脂包封。樹脂既起保護(hù)芯片的作用又起到聚光鏡的作用。從LED芯片發(fā)射出的藍(lán)色光射到周同的熒光粉層內(nèi)經(jīng)多次散亂的反射、吸收，最后向外部發(fā)出。LED(藍(lán))的光譜線的峰值在465nm處，半值寬為30nm，是非常尖銳的藍(lán)色光譜。LED發(fā)出的部分藍(lán)色光激發(fā)黃色的YAG熒光粉層，使其發(fā)出黃色光(峰值為555nm)，一部分藍(lán)色光直接或反射后向外發(fā)出，最終達(dá)到外部的光為藍(lán)黃二色光。根據(jù)補(bǔ)色關(guān)系，兩色光相混后即可得到白光。 Xev54!619
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美國 LumiLeds公司在2001年研制出了A1GaInN功率型倒裝片結(jié)構(gòu)LED(FCLED)，具體做法是：第一步，在P型外延層上沉積厚度大于50nm的NiAu層，用于歐姆接觸和背反射；第二步，采用掩模選擇刻蝕P型層，露出多量子阱N型有源區(qū)；第三步，沉積、刻蝕形成N型歐姆接觸區(qū)。芯片尺寸為1mmxlmm，P型歐姆接觸區(qū)為正方形，N型歐姆接觸區(qū)為梳狀形，這樣可以減小電阻。第四步，將帶有金屬化凸點(diǎn)的A1GaInN芯片倒裝焊接在具有防靜電保護(hù)二極管(ESD)的硅載體上。美國Cree公司是采用SiC襯底制造A1GaInN超亮度LED的全球唯一廠家，近年來A1GalnN／SiC芯片結(jié)構(gòu)不斷改進(jìn)，亮度不斷提高。在這種結(jié)構(gòu)中，P型和N型電極分別在芯片的頂部和底部，采用單線鍵合，加工方便，因而成為A1GalnN LED發(fā)展的另一主流。 !a x;5
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