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2011-05-07 20:17 |
納米器件電學(xué)性能測量技術(shù)介紹
隨著納米技術(shù)日新月異的發(fā)展，研究已深入到原子挨原子的分子級，構(gòu)造具有全新特性的新結(jié)構(gòu)。特別地，納米電子領(lǐng)域的發(fā)展十分迅速，其潛在影響涉及非常寬的行業(yè)領(lǐng)域。目前的納米電子研究的內(nèi)容主要是如何開發(fā)利用碳納米管、半導(dǎo)體納米線、分子有機電子和單電子器件。 ;aW k-
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不過，由于多方面的原因，這些微小器件無法采用標(biāo)準(zhǔn)的測試技術(shù)進(jìn)行測試。其中一個主要原因在于這類器件的物理尺寸。某些新型“超CMOS”器件的納米級尺寸很小，很容易受到測量過程使用的甚至很小電流的損壞。此外，傳統(tǒng)直流測試技術(shù)也不總是能夠揭示器件實際工作的情況。 isd-b]@:Lc
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脈沖式電測試是一種能夠減少器件總能耗的測量技術(shù)。它通過減少焦耳熱效應(yīng)（例如I2R和V2/R），避免對小型納米器件可能造成的損壞。脈沖測試采用足夠高的電源對待測器件（DUT）施加間隔很短的脈沖，產(chǎn)生高品質(zhì)的可測信號，然后去掉信號源。 [SC6{ |
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