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2011-12-01 15:02 |
大功率Ga InP/AlGa InP半導體激光器.PDF分享
大功率Ga InP/AlGa InP半導體激光器摘要：制備了大功率實折射率 Ga InP/ AlGaInP壓應變分別限制量子阱激光器.所用外延材料在 15° 偏角的 GaAs 襯底上由有機金屬氣相外延一次外延生長得到. 制備的激光器具有雙溝脊波導結構 ,條寬和腔長分別為 3 和900 μm ,前后端面分別蒸鍍 5 %的增透膜和 95 %的高反膜.分析了室溫連續(xù)激射時激光器的光電輸出性能.閾值電流的典型值為 32mA ,光學災變閾值為 88mW ,功率為 80mW 時的工作電流為 110mA ,斜率效率為 1W/ A ,串聯電阻為 3Ω.基橫模光輸出功率可達 60mW ,60mW時的平行結和垂直結的遠場發(fā)散角分別為 10° 和 32° ,激射波長為65814nm.器件的內損耗為 411cm- 1,內量子效率達 80 % ,透明電流密度為 648A/ cm2. abHW[VP9
L xM.z1
關鍵詞：半導體激光器; AlGa InP可見光激光器; 應變量子阱
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