| chenchao |
2011-12-18 16:19 |
中頻反應(yīng)磁控濺射制備Al2O3:Ce薄膜及其光致發(fā)光特性
中頻反應(yīng)磁控濺射制備Al2O3:Ce薄膜及其光致發(fā)光特性摘要：用中頻反應(yīng)磁控濺射技術(shù)制備了 Al2O3:Ce3+的非晶薄膜。XPS 監(jiān)測(cè)顯示，薄膜中有 Ce3+生成。這些薄膜的光致發(fā)光峰是在 374 nm 附近，它來(lái)自于 Ce3+離子的 5d1激發(fā)態(tài)向基態(tài) 4f1的兩個(gè)劈裂能級(jí)的躍遷。發(fā)光強(qiáng)度強(qiáng)烈地依賴(lài)于薄膜的摻雜濃度，但發(fā)光峰位置不隨摻雜濃度而變化。Ce3+含量和薄膜的化學(xué)成分是通過(guò) X 射線散射能譜（EDS）測(cè)量 的。薄膜試樣的晶體結(jié)構(gòu)應(yīng)用 X 射線衍射分析。俄歇電子譜用于對(duì)薄膜材料的化學(xué)組分進(jìn)行定性分析。發(fā)射純藍(lán)光的Al2O3:Ce3+非晶薄膜在平板顯示等領(lǐng)域有著廣泛的潛在應(yīng)用前景。 ?< -wHj)
cq- e
c7
關(guān)鍵詞：光致發(fā)光；Al2O3；薄膜；磁控濺射；稀土元素
|
|