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光行天下 -> 光學(xué)薄膜設(shè)計(jì),工藝與設(shè)備 -> 求助各位鍍膜工程師前輩 [點(diǎn)此返回論壇查看本帖完整版本]

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cxc0816	2013-10-13 16:52
求助各位鍍膜工程師前輩鍍增透膜后的基底就像有一層霧一樣是什么原因，望各位前輩給小弟解答一下（多層膜，膜系al2o3 zro2 mgf2） *QLI3B9V 還有在鍍多層膜過程中，是否要對基底經(jīng)行全程烘烤以便保持基底溫度，鍍膜時(shí)間大約持續(xù)1小時(shí)

中國鍍膜人	2013-10-13 21:50
鍍灰了！找機(jī)器毛病

cxc0816

2013-10-15 09:36

中國鍍膜人:鍍灰了！找機(jī)器毛病 (2013-10-13 21:50) jO!y_Y]B

能講解的詳細(xì)點(diǎn)兒嗎，應(yīng)該從機(jī)器的什么方向改進(jìn)，從溫度，真空度，還是電子槍蒸發(fā)速度，這個(gè)膜系制備過程中真空度平均在9*10-3pa左右，蒸發(fā)速度是al2o3 0.25nm/s ，zro2是0.15nm/s ，mgf2是1nm/s，還有在鍍膜全過程中是不是要求烘烤裝置全程打開對基底進(jìn)行加熱。

yzhuang	2013-10-16 09:11
烘烤不能停，一停溫度就下降很快的，還有如果沒有離子源鍍膜溫度要接近３００度，因?yàn)椋停牵疲膊牧先菀酌撃ぃ€有你的真空度太低了，應(yīng)該不低于5*10-3pa，另外，如果是基底是ＺＦ料，這個(gè)材料組合可能不合適

cxc0816

2013-10-20 21:36

yzhuang:烘烤不能停，一停溫度就下降很快的，還有如果沒有離子源鍍膜溫度要接近３００度，因?yàn)椋停牵疲膊牧先菀酌撃�，還有你的真空度太低了，應(yīng)該不低于5*10-3pa，另外，如果是基底是ＺＦ料，這個(gè)材料組合可能不合適 (2013-10-16 09:11) G-?d3n

對于這個(gè)膜系我用經(jīng)典四層膜系（zro2（0.058） mgf2（0.072） zro2（0.5） mgf2（0.25））做了一些代替并且在mgf2外層又加鍍了10nm左右的sio2作為保護(hù)層，但是真空度就是控制的不好，請問您，在鍍膜過程中有沒有一些常用的方法能控制好真空度的數(shù)值。ps：我們現(xiàn)在鍍膜所采用的蒸發(fā)速度是al2o3 0.25nm/s ，zro2是0.15nm/s ，mgf2是1nm/s。

hongtaoliu	2013-10-20 21:57
你ZRO2鍍的不慢嗎？你的工藝存在問題。 p' +

中國鍍膜人	2013-10-21 23:13
1,、測溫度。無離子源不能低于300，鍍完膜再關(guān)烘烤。 Bc6\|n :;u 2、真空度太低，必須5.0E-3以下，最好3.0E-3 XI22+@d6 3、蒸發(fā)速率。ZrO2太慢，MgF2有點(diǎn)快，3-5埃/s { Fawt: 4、氧化物需要充氧

27676995	2013-10-30 22:42
我覺得是基底的原因吧打底材料部合適出現(xiàn)白暈?zāi)ぐ?

flyinlove79	2013-11-16 23:02
6樓說的不錯(cuò)，再一個(gè)問題要看看基底有沒有清潔干凈。

luffy17520	2013-11-21 15:43
zro2 速率調(diào)到3 TJ1+g \ 加熱不能停 Ee3hG2d` 是否使用離子源，使用的話真空度保持在1.0E-2以下把 > 3&: 5 鍍mgf2 需要加熱300度從一開始到鍍膜結(jié)束一直需要這個(gè)溫度

luopr

2014-02-13 16:47

老兄你這個(gè)問題解決了嗎？
對于你這個(gè)問題你主要提的外觀問題，沒有膜層性能不良問題。我觀點(diǎn)分析如下：
1.如果是鍍mgf2時(shí)鐘罩的溫度不夠容易產(chǎn)生脫膜。
2.如果真空度不夠膜層容易出現(xiàn)膜強(qiáng)度弱，即擦拭就會造成劃痕。
3.如果是鍍膜硬件和鍍膜工藝問題的話，首當(dāng)其沖的是性能不量.
4.直接造成產(chǎn)品外觀不量的問題主要還是玻璃片鍍膜前的潔凈度不夠，即有臟污殘留。此殘留一般是肉眼不容易檢查的殘留。且不影響鍍膜后產(chǎn)品的指標(biāo)和性能。
5.如果是產(chǎn)品潔凈度問題，外觀上一般產(chǎn)生局部性發(fā)霧，或同一爐產(chǎn)品有一部分輕微，一部分嚴(yán)重，也可以出現(xiàn)良品。如果是設(shè)備和工藝問題就會出現(xiàn)外觀不良狀態(tài)的均衡性。即不良的樣子都一樣，且全部都是，不分輕重。
希望能夠?qū)δ阌袔椭�，鍍膜和清洗工藝交流可以�?lián)系我：13620221452 QQ294955027

rollo_tomasi	2014-04-01 14:01
Al2O3的速率：3A/s <oo ZrO2的速率：3A/s SL;9Q[ MgF2的速率：6-8A/s ~R&;v3 烘烤溫度：300℃左右，從關(guān)門到鍍完MgF2，不要停 qHP78&wUx 可以不用離子源， 'ul~7h;n 可以不充氧氣

raofengxiang	2014-05-18 10:27
建議用LaTiO3和MgF2

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