| 不是美女 |
2014-05-30 22:41 |
表面粗化提高GaN基LED光提取效率的模擬.PDF
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摘要：影響GaN基LED的外量子效率低下的主要因素是光子在半導(dǎo)體和空氣界面處的全反射。根據(jù)實(shí)際芯片建立LED模型，利用蒙特卡羅方法進(jìn)行光線追跡模擬，分析了光子的主要損耗對(duì)出光效率的影響。計(jì)算不同的表面粗化微元，微元尺寸及微元底角對(duì)LED光提取效率的影響；比較不同微元形成的光場(chǎng)分布。模擬顯示：所設(shè)計(jì)最佳的表面粗化結(jié)構(gòu)在理想狀況 F<b'{qf"
下可以提高光提取效率3倍以上。
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